超晶格薄膜

作品数：41被引量：57H指数：4
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钯纳米颗粒超晶格薄膜光学特性
《激光与光电子学进展》2025年第1期358-364,共7页史作盐 黄信 王芳 虞应 刘绍鼎 
国家自然科学基金(11804408);山西省基础研究计划项目(202203021221080)。
钯纳米颗粒具有大比表面积、高催化效率,以及良好的电化学性能,在光催化和传感等领域展现出广泛的应用前景。其中,如何增强纳米颗粒与光场的相互作用是提高光学器件性能的关键。通过自组装方法制备钯纳米颗粒超晶格薄膜,基于超晶格极化...
关键词：钯纳米颗粒 超晶格 极化激元 自组装 
盐雾环境下MoS_(2)/WB_(2)超晶格薄膜的摩擦学性能及耐腐蚀性
《中国表面工程》2024年第6期311-323,共13页高臻荣 李金龙 任思明 
国家自然科学基金(52375220)。
二硫化钼(MoS_(2))薄膜因其独特的结构特征,层间易滑移,作为固体润滑剂在航空航天、核能、机械电子等领域已得到广泛应用。然而,MoS_(2)对环服役境极其敏感,易在大气、高温等条件下发生氧化,导致其摩擦学性能下降,寿命大幅缩短。为了提...
关键词：MoS_(2)/WB_(2)超晶格薄膜 盐雾环境 耐腐蚀性能 摩擦学性能 
光子Moiré超晶格薄膜的设计及光学特性研究
《光学学报》2024年第4期355-362,共8页赵富源 孙晓红 
国家自然科学基金(12104413)。
二维光子Moiré超晶格拥有一些常规光子晶体不具备的特性,例如平带特征和不同于安德森局域化的光局域现象。本文利用多光束干涉法构建二维光子Moiré超晶格结构,采用有限元法对其能带结构及光场特性进行研究。通过优化Moiré晶格厚度、...
关键词：光子晶体 光子Moiré超晶格 多光束干涉 平带 光局域 
高质量镍基超晶格薄膜的制备及表征
《低温物理学报》2023年第4期233-239,共7页梅雨飞 韩昆 徐立强 金锋 
国家自然科学基金项目(批准号:12104008,12204005);安徽大学信息材料与智能感知安徽省实验室开放基金(编号:IMIS202107)资助的课题.
自发现镍基超导薄膜之后,镍基材料体系已成为当前人们的研究热点.而在相关报道中,普遍认为高质量的镍基超导前驱体薄膜的制备对其拓扑还原后超导电性的实现具有重要影响.前期研究表明高质量的前驱体薄膜只生长在SrTiO3衬底附近,这与我...
关键词：镍基超导薄膜 超晶格 层选择性还原 
深振荡磁控溅射复合沉积CrN/TiN超晶格薄膜的结构和性能被引量：3
《稀有金属材料与工程》2018年第S1期330-334,共5页欧伊翔 潘伟 雷明凯 
中国博士后基金面上资助项目(2016M600085)
分别采用深振荡磁控溅射(deep oscillation magnetron sputtering,DOMS)复合脉冲直流磁控溅射(pulsed dc magnetron sputtering,PDCMS)技术和单一的PDCMS技术,沉积厚度为2μm、调制周期为6.3 nm的Cr N/Ti N超晶格薄膜。利用XRD、SEM和TE...
关键词：CrN/TiN超晶格薄膜 深振荡磁控溅射 脉冲直流磁控溅射 摩擦磨损 腐蚀 
周期数N不同的(Ce_(0.8)SmO_(2-δ))/YSZ)_N超晶格薄膜的阻抗性质
《物理学报》2017年第1期272-278,共7页贾晓静 苏海莹 刘华艳 许彦彬 康振峰 丁铁柱 
国家自然科学基金(批准号:11264025)资助的课题~~
采用脉冲激光溅射技术,在MgO单晶片衬底上,以SrTiO_3作为缓冲层,交替沉积Ce_(0.8)Sm_(0.2)O_(2-δ)(SDC)和8 mol%Y_2O_3:ZrO_2(YSZ),制备了不同周期数的(SDC/YSZ)N超晶格电解质薄膜.利用扫描电子显微镜,X射线衍射和交流阻抗对其形貌、...
关键词：(SDC/YSZ)N 超晶格薄膜 电导率 活化能 
三层软磁镍超晶格薄膜的共振频率被引量：2
《沈阳工业大学学报》2016年第1期30-35,共6页邱荣科 郭非非 刘忠菊 
国家自然科学基金资助项目(11447119)
为了提高磁性薄膜的共振频率,采用量子格林函数方法研究了具有反铁磁性和铁磁性层间交换耦合的三层软磁镍超晶格薄膜的共振频率,并分析了各向异性、层间交换耦合、外磁场和温度对三层软磁镍超晶格薄膜共振频率的影响.结果表明,共振频率...
关键词：层间交换耦合 外磁场 温度 各向异性 共振频率 格林函数 薄膜 超晶格 
InAs/GaInSb超晶格薄膜结构与电学性能被引量：1
《发光学报》2015年第11期1252-1257,共6页陈道明 国凤云 张新建 白贵元 赵连城 
采用分子束外延(MBE)方法,调节生长温度、Ⅴ/Ⅲ束流比等参数在(001)GaAs衬底上生长了InAs/GaInSb超晶格薄膜。结果表明:InAs/GaInSb超晶格薄膜的最佳生长温度在385~395℃,Ⅴ/Ⅲ束流比为5.7∶1~8.7∶1。高能电子衍射仪(RHEED)原位观测到...
关键词：InAs/GaInSb 超晶格薄膜 分子束外延 
Si基CeO2/Tb4O7超晶格薄膜发光特性的研究
《光谱学与光谱分析》2011年第8期2067-2070,共4页王申伟 衣立新 丁甲成 高靖欣 郭逦达 王永生 
国家自然科学基金项目(60977017)资助
利用电子束蒸发技术在P型硅衬底上沉积了CeO2/Tb4O7超晶格样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜样品在488,544,588以及623nm左右出现Tb3+的四个典型发光峰。结合激发光谱、吸收光谱以及XRD分析表明,CeO2薄膜在高温下失氧,...
关键词：超晶格 光致发光 能量传递 浓度猝灭 
纳米Si/SiN_x超晶格实现Nd∶YVO_4激光被动调Q
《半导体光电》2011年第1期88-91,共4页王燕飞 王加贤 张培 杨先才 沈海波 
福建省自然科学基金项目(2009J01291)
采用射频磁控反应溅射法和热退火处理制备了纳米Si/SiNx超晶格薄膜材料。把薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平凹腔Nd∶YVO4激光器内,实现了1 342 nm激光的被动调Q运转,获得脉冲宽度约20 ns、重复频率33.3 kHz的调Q脉冲序列输...
关键词：激光技术 纳米Si/SiN 超晶格薄膜 被动调Q 1 342 nm激光 双光子吸收 
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