王申伟

作品数：10被引量：31H指数：4
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供职机构：北京交通大学理学院发光与光信息技术教育部重点实验室更多>>
发文主题：超晶格磁控溅射硅纳米晶发光特性光致发光更多>>
发文领域：理学文化科学医药卫生一般工业技术更多>>
发文期刊：《光谱学与光谱分析》《发光学报》《实验技术与管理》更多>>
所获基金：国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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过程信息化管理在高校科研实验室管理中的探索与实践被引量：16
《实验技术与管理》2016年第7期245-248,256,共5页王申伟 姚志刚 何大伟 
北京交通大学实验室研究课题资助项目(13080201);北京交通大学实验室研究课题资助项目(14080201)
高校科研实验室管理的重点是确保实验人员在实验过程中能够严格遵守实验室的各项规章制度。针对目前高校科研实验室管理人员严重不足、规章制度落实困难的问题,提出过程信息化管理模式,在信息化管理体系的约束下,实现科研实验室"安全、...
关键词：过程管理 制度落实 信息化管理 权限分配 
Si基CeO2/Tb4O7超晶格薄膜发光特性的研究
《光谱学与光谱分析》2011年第8期2067-2070,共4页王申伟 衣立新 丁甲成 高靖欣 郭逦达 王永生 
国家自然科学基金项目(60977017)资助
利用电子束蒸发技术在P型硅衬底上沉积了CeO2/Tb4O7超晶格样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜样品在488,544,588以及623nm左右出现Tb3+的四个典型发光峰。结合激发光谱、吸收光谱以及XRD分析表明,CeO2薄膜在高温下失氧,...
关键词：超晶格 光致发光 能量传递 浓度猝灭 
Si基CeO_2薄膜的发光特性
《发光学报》2010年第5期762-766,共5页王申伟 衣立新 丁甲成 高靖欣 王永生 
国家自然科学基金(60977017)资助项目
利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的CeO2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光峰。结合激发光谱、吸收光谱以及XRD分析表明：CeO2薄膜在高温下容易发生失...
关键词：CEO2 光致发光 能量传递 
Ce^(3+)注入对超晶格中硅纳米晶光致发光强度的影响被引量：1
《光谱学与光谱分析》2009年第6期1486-1488,共3页杜玙璠 衣立新 王申伟 邬洋 
国家自然科学基金项目(60577022)资助
研究了铈离子注入和二次退火等因素对硅纳米晶(nc-Si)发光强度的影响。利用电子束蒸发以及高温退火得到nc-Si/Si O2超晶格结构。随后将该结构样品分别注入2.0×1014cm-2和2.0×1015cm-2剂量的铈离子(Ce3+),再分别以不同温度对其进行二...
关键词：超晶格 硅纳米晶 铈 离子注入 光致发光 
SiO/SiO2超晶格结构界面发光的研究
《光谱学与光谱分析》2009年第5期1197-1200,共4页王申伟 衣立新 何桢 胡峰 王永生 
国家自然科学基金项目(60577022)资助
利用热蒸发技术在硅衬底上制备了层厚不同的SiO/SiO2超晶格样品。对其光致发光谱进行研究发现,随着SiO/SiO2超晶格中SiO层厚度的增加,发光峰在400～600nm之间移动。研究表明,样品的发光中心来自于SiO/SiO2界面处的缺陷发光(界面态发光)...
关键词：超晶格 界面态 悬挂键 光致发光 
磁控溅射法沉积SiNx非晶薄膜的生长机制及结构分析被引量：3
《光谱学与光谱分析》2009年第5期1260-1263,共4页邬洋 衣立新 王申伟 杜玙璠 黄圣 冀国蕊 王永生 
国家“973”计划项目(2003CB314707);国家自然科学基金项目(60577022,10434030);教育部留学回国人员基金项目(2005383);北京交通大学科技基金项目(2004SM049)资助
利用磁控溅射技术在单晶Si衬底上沉积了SiNx非晶薄膜。样品的傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)显示,SiNx非晶薄膜在812～892cm-1范围内存在一个较强的吸收谱带。该吸收谱带对应于Si—N—Si键的伸缩振动吸收(Stretching vibration mode),其...
关键词：SiN_x非晶薄膜 磁控溅射 傅里叶变换红外光谱 
Ce^3＋注入对不同尺寸的nc-Si/SiO2超晶格发光特性的影响被引量：3
《发光学报》2009年第3期417-420,共4页杜玙璠 衣立新 王申伟 邬洋 
国家自然科学基金(60577022)资助项目
通过电子束蒸发方法以及高温退火处理,得到nc-Si/SiO2超晶格。将样品分别注入剂量为2.0×1014cm-2和2.0×1015cm-2的Ce3+,再对其进行二次退火处理,获得多组样品。通过对样品光致发光光谱的分析发现,样品发光强度的变化不仅受到Ce3+注入...
关键词：超晶格 硅纳米晶 Ce3+注入 光致发光 
溅射气氛和退火方式对硅纳米晶的形成及发光特性的影响被引量：5
《发光学报》2009年第2期243-246,共4页胡峰 衣立新 王申伟 高华 何桢 
国家自然科学基金(60577022)资助项目
利用磁控溅射技术溅射硅靶,通过调节溅射气氛在硅衬底上生长了S iO/S iO2超晶格,热退火处理后超晶格中的S iO发生相分离得到硅纳米晶。通过比较不同退火方式对于硅纳米晶的形成的影响发现,管式炉退火处理的样品给出非常强的室温光致发光...
关键词：硅纳米晶 超晶格 磁控溅射 热退火 
氢钝化对硅纳米晶发光强度的影响被引量：4
《光谱学与光谱分析》2008年第2期246-248,共3页陈恩光 衣立新 王申伟 刘尧平 苏梦蟾 唐莹 王永生 
国家“973”计划(2003CB314707);国家自然科学基金项目(60577022,10434030);教育部留学回国人员基金项目(2005383);北京交通大学科技基金项目(LI2005J0070,2003RC058)资助
通过热蒸发方法在单晶硅衬底上沉积了SiO/SiO2超晶格样品,在氮气保护下对样品进行高温退火,得到硅纳米晶/SiO2超晶格结构。随后将该结构样品分别注入3.0×1014和3.0×1015cm-2两种剂量的H+。通过对样品的光致发光光谱的分析发现,H+注入...
关键词：超晶格 硅纳米晶 氢钝化 
红外吸收光谱法研究磁控溅射沉积SiO_x非晶薄膜的过程被引量：5
《光谱学与光谱分析》2007年第3期456-459,共4页王申伟 衣立新 苏梦蟾 陈恩光 王永生 
国家"973"计划(2003CB314707);国家自然科学基金(60577022;10434030);教育部留学回国人员基金项目(2005383);北京交通大学科技基金项目(LI2005J0070;2003RC058)资助
利用磁控溅射技术,在单晶Si衬底上生长了SiOx非晶薄膜。傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)显示,SiOx非晶薄膜存在3个吸收谱带。研究发现,随着溅射功率的提高,薄膜中先后形成Si-Oy-Si4-y(0
关键词：SIOX 非晶薄膜 磁控溅射 红外吸收光谱 
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