张培

作品数：6被引量：7H指数：2
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供职机构：华侨大学信息科学与工程学院更多>>
发文主题：被动调Q激光技术光致发光磁控反应溅射可饱和吸收更多>>
发文领域：理学机械工程电子电信更多>>
发文期刊：《光学精密工程》《半导体技术》《半导体光电》《华侨大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金福建省农科院青年科技人才创新基金国家高技术研究发展计划更多>>
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纳米半导体复合薄膜的非线性光学性质及其在激光器中的应用被引量：3
《光学精密工程》2013年第1期20-25,共6页王加贤 林正怀 张培 吴志军 
国家自然科学基金重点项目(No.60838003);福建省自然科学基金资助项目(No.2012J01277);福建省青年科技人才创新基金资助项目(No.2001J030)
采用射频磁控溅射技术制备了Ge掺二氧化硅(Ge-SiO2)和Ge,Al共掺二氧化硅(Ge/Al-SiO2)两种复合薄膜,并进行了热退火处理形成了纳米Ge镶嵌结构。通过紫外-可见吸收谱测量,确定了两种薄膜中纳米Ge的光学带隙,并采用皮秒激光Z-扫描技术研究...
关键词：半导体复合薄膜 Ge-SiO2薄膜 Ge/Al-SiO2薄膜 非线性吸收 被动调Q 被动锁模 
纳米锗镶嵌二氧化硅薄膜的光学性质及其应用的研究被引量：1
《量子光学学报》2012年第4期377-381,共5页林正怀 张培 王加贤 
福建省自然科学基金(2012J01277);福建省青年科技人才创新项目(2001J030)
采用射频磁控溅射技术与热退火处理制备了纳米锗镶嵌二氧化硅(nc-Ge/SiO2)复合薄膜。对薄膜的光吸收谱进行分析,得到了纳米Ge晶粒的光学带隙。单光束Z-扫描的实验结果表明薄膜具有较强的可饱和吸收特性。将薄膜作为可饱和吸收体插入LD...
关键词：nc-Ge SIO2薄膜 磁控溅射技术 非线性吸收 被动调Q 
Ge,Al共掺SiO_2薄膜的发光性能研究被引量：1
《半导体技术》2012年第3期212-215,234,共5页陈虎 王加贤 张培 
国家"863"计划引导项目(2002AA001013)
用射频磁控溅射法制备Ge,Al共掺SiO2复合薄膜并以不同温度进行退火,得到具有特定光致发光性质的复合材料。经600℃退火的薄膜样品在260 nm谱线激发下,主要有398和494 nm发光峰。通过对样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱的测试,确定了...
关键词：光致发光 Ge Al共掺SiO2复合薄膜 PL谱 缺陷中心 磁控溅射 
纳米Ge-SiO_2薄膜对1342nm激光的被动调Q被引量：2
《华侨大学学报（自然科学版）》2011年第4期385-388,共4页王燕飞 王加贤 张培 杨先才 
国家自然科学重点基金资助项目(60838003);福建省自然科学基金资助项目(2009J01291)
采用射频磁控溅射技术和热退火处理方法制备纳米锗镶嵌二氧化硅(Ge-SiO2)薄膜.利用光吸收谱和X射线衍射谱对薄膜材料进行表征,得到薄膜的光学带隙为1.12 eV,纳米Ge晶粒的平均尺寸约为16.4 nm.将纳米Ge-SiO2薄膜作为可饱和吸收体插入激...
关键词：激光技术 Nd∶YVO4激光器 纳米锗镶嵌二氧化硅薄膜 被动调Q 可饱和吸收体 
纳米Si/SiN_x超晶格实现Nd∶YVO_4激光被动调Q
《半导体光电》2011年第1期88-91,共4页王燕飞 王加贤 张培 杨先才 沈海波 
福建省自然科学基金项目(2009J01291)
采用射频磁控反应溅射法和热退火处理制备了纳米Si/SiNx超晶格薄膜材料。把薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平凹腔Nd∶YVO4激光器内,实现了1 342 nm激光的被动调Q运转,获得脉冲宽度约20 ns、重复频率33.3 kHz的调Q脉冲序列输...
关键词：激光技术 纳米Si/SiN 超晶格薄膜 被动调Q 1 342 nm激光 双光子吸收 
nc-Ge/SiO_2薄膜的光发射和光吸收研究
《半导体技术》2010年第11期1067-1070,共4页张培 王加贤 王燕飞 郭亨群 吴志军 
国家自然科学基金重点项目(60838003);福建省自然科学基金项目(2009J01291);华侨大学科研启动资金(07BS108)
采用射频磁控反应溅射技术和后退火法制备了nc-Ge/SiO2薄膜材料。采用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的微结构进行测试,随着退火温度的升高,衍射峰的半高宽减小,表明Ge纳米晶粒的平均尺寸逐渐增大,发现经过1 000℃退火后的薄膜具有三个明显的...
关键词：nc-Ge/SiO2薄膜 光吸收 发光机制 与氧相关的缺陷 射频磁控反应溅射技术 
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