量子阱激光器超晶格缓冲层的研究  

Research on superlattice buffer layers in quantum well laser

作　　者：张福厚[1] 陈江华 李树强[1] 于复生[1] 曾一平[2] 

机构地区：[1]山东工业大学 [2]中国科学院半导体研究所

出　　处：《半导体光电》1998年第3期202-204,共3页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：山东省科委资助

摘　　要：在量子阱半导体激光器结构中采用优化超晶格缓冲层来掩埋衬底缺陷，获得了性能优良的激光器。对超晶格缓冲层所具有的“量子阱陷阱效应”进行了理论分析。The superlattice buffer layer (SLB) is studied.By using optimum SLB structure in the quantum well(QW)semiconductor lasers,laser devices with high performances are obtained.QW trap effect of the superlattice buffer layer is analyzed theoretically.

关 键 词：量子阱 超晶格 缓冲层 半导体激光器 

分 类 号：TN248.403[电子电信—物理电子学]