分子束外延GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层量子阱材料的研究  

Investigation on a YAG laser with CPM Self filtering Unstable Resonator

作　　者：宋珂[1] 张福厚[1] 邢建平[1] 曾一平[2] 

机构地区：[1]山东工业大学电子工程系微电子技术教研室 [2]中国科学院半导体研究所

出　　处：《光电子．激光》1997年第3期175-177,共3页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：山东省科委资助

摘　　要：采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料。采用ＧａＡｓ／Ａｌ－ＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器。波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ。Applying self filtering unstable resonator with an antiresonant ring and a convex mirror to a colliding pulse mode locking Nd:YAG laser, we improved the spatial quality of light beam and output stability and obtained the mode locked trains of 50 mj energy and 10 ps pulse duration with times diffraction limit divergence. Meantime, we compared experimentally the properties of two CPM unstable resonators with a filtering aperture and without it.

关 键 词：分子束外延 量子阱 超晶格 砷化镓 外延生长 

分 类 号：TN450.984[电子电信—微电子学与固体电子学] TN304.054