应变层

作品数：161被引量：120H指数：4
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钢铁金相试样制备问题研究
《中国冶金教育》2024年第3期77-82,共6页彭成红 朱伟恒 陈灵 黄润泽 王伟旬 
华南理工大学校级教研教改项目“金相实验技术关键问题的机理研究及其在实验教学中的应用”(x2cl/C9223080)。
通过金相显微镜、扫描电镜对金相钢铁试样的缺陷进行分析,提出对应的解决方案。实验表明,铁素体晶粒的颜色对比大多为晶粒不同腐蚀程度造成,通过擦蚀法可以大大减轻。金相试样的黑点有三种:材料本身的氧化物硫化物夹杂;制样过程引入的...
关键词：金相技术 扫描电镜分析 夹杂物 水渍 应变层 
预制表面梯度应变层增强高铁制动盘的耐磨性能被引量：2
《中国表面工程》2023年第4期206-216,228,共12页周霆伟 杨磊 马新元 徐震霖 赵海 何宜柱 
安徽省科技重大专项(202003a05020038);中国工程院重大咨询(ZGZ201812-03);国家自然科学基金(51271001)资助项目。
随着客运铁路高速化,列车制动盘的磨损日益加剧,严重威胁列车服役的安全性。为了提高低碳马氏体钢制动盘的耐磨性,采用表面机械研磨处理(SMAT)技术在材料表面制备梯度组织,进而延长材料的服役寿命。结果表明:经SMAT处理后,样品表面形成...
关键词：高铁制动盘 表面机械研磨处理 梯度结构 耐磨性 微米划痕 
InGaN量子点红光Micro-LED研究
《微纳电子与智能制造》2021年第3期106-110,共5页余鹿鸣 汪莱 王磊 杨沛珑 郝智彪 余佳东 罗毅 孙长征 熊兵 韩彦军 王健 李洪涛 
国家重点研发计划(2021YFA0716400);国家自然科学基金(62150027,61974080,61822404,61904093,61975093,61991443,61927811,61875104);中国博士后科学基金(2018M640129,2019T120090)项目资助;固态照明与节能电子学协同创新中心支持
微型发光二极管被认为是下一代显示技术,但到目前为止,主流AlGaInP红光器件的微型化仍然存在瓶颈。InGaN量子点技术由于其独特的自组装生长机制,拥有较好的晶体质量、较高的In组分并入效率,对刻蚀损伤的耐受能力也更强,是提升红光微型...
关键词：量子点 预应变层 量子阱 超晶格 氮化镓 铟镓氮 MOCVD 
表面机械研磨处理Mg-Gd-Y合金不同应变层的时效硬化行为和机理被引量：6
《稀有金属材料与工程》2021年第7期2577-2583,共7页任宏伟 宁江利 徐博 李旭东 李欣康 苑潇逸 
国防基础科研项目(JCKY2018407C008);华北理工大学杰出青年基金(JQ201702)。
采用表面机械研磨处理(SMAT)在Mg-Gd-Y合金中获得了梯度组织结构,通过维氏硬度计和透射电子显微镜对试样中不同应变层的时效硬化行为和机理进行了研究。结果表明,SMAT后合金表面梯度组织可以分为3层:剧烈应变层、中等应变层和无影响层。...
关键词：表面机械研磨处理 梯度组织 MG-GD-Y合金 时效硬化行为 
美国雷神视觉系统公司研制下一代电光/红外探测器
《红外》2015年第9期45-47,共3页高国龙 
电光/红外系统的能力正在不断地提升和改进.这一部分是由于高性能焦平面技术的发展的结果.美国雷神视觉系统公司目前正在利用各种半导体材料和焦平面阵列结构,积极推进新的、具有辨别能力的3～5 μm中波红外和8～12 μm长波红外焦平面...
关键词：视觉系统 红外焦平面阵列技术 红外探测器 电光 美国 Ⅲ-Ⅴ族半导体 辨别能力 应变层超晶格 
Study on the Forbidden Gap Width of Strained Epitaxial Lead Selenide Layers by Optical Transmission
《材料科学与工程（中英文B版）》2012年第2期142-150,共9页
关键词：禁带宽度 硒化铅 应变层 光传输 吸收系数 光纤传输 光子能量 双向拉伸 
通过降低表面漏泄电流提高InAs/GaSb应变层超晶格探测器性能
《红外》2011年第1期45-45,共1页高国龙 
基于Ⅱ型中波红外和长波红外InAs/GaSb应变层超晶格的光电二极管可以用于民用和军用领域的各个方面。目前,这些领域最常用的探测器都是碲镉汞探测器。但是,碲镉汞合金的电子质量较小（约为0.009m0）,由于隧道效应的关系,它们会产生过多...
关键词：碲镉汞探测器 应变层超晶格 漏泄电流 性能 表面 光电二极管 长波红外 中波红外 
Calculation of Radius of Curvature for Strained Layer Structure and Fabrication of Semiconductor Microtubes on GaAs Substrate
《材料科学与工程（中英文版）》2010年第10期20-23,共4页Murugesan Silambarasan Shanmugam Saravanan 
关键词：理论计算值 半导体薄膜 曲率半径 结构组成 砷化镓 应变层 GAAS(001) 微管 
GaN/InGaN应变层临界厚度的计算被引量：1
《漳州师范学院学报（自然科学版）》2009年第3期68-72,共5页郑江海 
本文主要借鉴PB模型、Fisher模型和Μatthews模型并通过优化其中的组分和滑移间距参数,考虑影响临界厚度的相关因素,对GaN/InGaN异质结应变层临界厚度进行理论计算,再结合实验值进行比较分析,发现PB模型比较能准确估计GaN/InGaN异质结...
关键词：异质结 应变层 临界厚度 
拉丝模半角和多道次拉拔对附加剪切应变层的影响
《金属制品》2009年第1期62-62,共1页
拉拔过程中，在钢丝表面产生的硬化层被称为附加剪切应变层，为阐明拉丝模半角对附加剪切应变层的影响以及多道次拉拔过程中附加剪切应变层的变化规律，日本科技工作者对此进行了研究。
关键词：多道次拉拔 应变层 拉丝模 剪切 半角 拉拔过程 科技工作者 变化规律 
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