通过降低表面漏泄电流提高InAs/GaSb应变层超晶格探测器性能  

作　　者：高国龙 

出　　处：《红外》2011年第1期45-45,共1页Infrared

摘　　要：基于Ⅱ型中波红外和长波红外InAs/GaSb应变层超晶格的光电二极管可以用于民用和军用领域的各个方面。目前,这些领域最常用的探测器都是碲镉汞探测器。但是,碲镉汞合金的电子质量较小（约为0.009m0）,由于隧道效应的关系,它们会产生过多的暗电流。

关 键 词：碲镉汞探测器 应变层超晶格 漏泄电流 性能 表面 光电二极管 长波红外 中波红外 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]