应变层超晶格

作品数：82被引量：49H指数：3
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相关机构：复旦大学中国科学院中国科学院上海光学精密机械研究所沈阳工业大学更多>>
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美国雷神视觉系统公司研制下一代电光/红外探测器
《红外》2015年第9期45-47,共3页高国龙 
电光/红外系统的能力正在不断地提升和改进.这一部分是由于高性能焦平面技术的发展的结果.美国雷神视觉系统公司目前正在利用各种半导体材料和焦平面阵列结构,积极推进新的、具有辨别能力的3～5 μm中波红外和8～12 μm长波红外焦平面...
关键词：视觉系统 红外焦平面阵列技术 红外探测器 电光 美国 Ⅲ-Ⅴ族半导体 辨别能力 应变层超晶格 
通过降低表面漏泄电流提高InAs/GaSb应变层超晶格探测器性能
《红外》2011年第1期45-45,共1页高国龙 
基于Ⅱ型中波红外和长波红外InAs/GaSb应变层超晶格的光电二极管可以用于民用和军用领域的各个方面。目前,这些领域最常用的探测器都是碲镉汞探测器。但是,碲镉汞合金的电子质量较小（约为0.009m0）,由于隧道效应的关系,它们会产生过多...
关键词：碲镉汞探测器 应变层超晶格 漏泄电流 性能 表面 光电二极管 长波红外 中波红外 
InP/GaAs异质外延及异变InGaAs光探测器制备被引量：5
《光电子．激光》2007年第10期1143-1145,1149,共4页王琦 任晓敏 熊德平 周静 吕吉贺 黄辉 黄永清 蔡世伟 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314901);国际科技合作重点项目计划资助项目(2006DFB11110);高等学校学科创新引智计划资助项目(B07005);教育部新世纪人才支持计划资助项目(NCET-05-0111)
借助超薄低温InP缓冲层,在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层,在InP外延层中插入了15周期In0.93Ga0.07P/InP应变层超晶格(SLS),进一步阻断了失配位错穿透到晶体表面,提高了外延层的晶体质量,这样2.5μm厚InP外延层的双晶X射线衍射(DC...
关键词：异质外延 低温InP缓冲层 应变层超晶格(SLS) 光探测器 
半导体技术
《中国无线电电子学文摘》2006年第6期47-67,共21页
关键词：半导体技术 半导体学报 电子技术 量子阱 AlGaN 位错腐蚀坑 迁移率模型 上海技术物理研究所 MOCVD 空穴缓冲层 低温晶片键合 干法刻蚀 测量结果 电流崩塌效应 量子点激光器 微电子学 SOI TN 应变层超晶格 
(GaN)_n/(AlN)_n应变层超晶格的电子结构被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第10期1934-1938,共5页王新华 王玲玲 王怀玉 邓辉球 黄维清 
以FreeStanding条件生长的超晶格原胞为计算模型,运用LCAORecursion方法研究了(GaN)n/(AlN)n(001)应变层超晶格的电子结构.由计算结果分析了GaN/AlN应变层超晶格中Ga,Al和N之间的成键情况及其带隙Eg随超晶格层数n的变化趋势;当超晶格中...
关键词：Recursion方法 (GaN)n/(AlN)n 应变层超晶格 电子结构 缺陷能级 
InAs/GaInSb应变层超晶格材料的界面结构
《功能材料》2005年第9期1316-1319,1323,共5页邱永鑫 李美成 赵连城 
国家自然科学基金委员会资助项目(50272019)
介绍了InAs/GaInSb应变层超晶格材料的界面结合类型及其对材料界面结构和光电性能的影响,分析了在超晶格界面处的原子置换和扩散现象。同时,总结了分子束外延生长过程中控制InAs/GaInSb超晶格界面结构的生长工艺,指出采用原子迁移增强(M...
关键词：应变层超晶格 InAs/GaInSb 界面结构 分子束外延 
Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe 应变层超晶格光学特性(英文)
《长沙水电师院学报（自然科学版）》1999年第4期355-357,共3页史向华 刘小兵 
分析了用分子束外延法生长在ＧａＡｓ（１００） 衬底上的Ｚｎ１ － ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ 应变层超晶格光学特性．对光致发光谱的温度效应进行了详细的研究．光致发光谱的峰位和线形展宽的温度效应的实验结果与理论分析相一致．从光...
关键词：应变层超晶格 光致发光谱 光学特性 
半导体技术
《中国无线电电子学文摘》1999年第4期37-46,共10页
关键词：研究与进展 固体电子学 中国科学院 半导体技术 太阳电池 应变外延层 实验结果 光致发光 分子束外延 应变层超晶格 
应变层超晶格GaN-AlN的电子结构被引量：1
《固体电子学研究与进展》1999年第1期13-19,共7页何国敏 王仁智 郑永梅 
福建省自然科学基金;厦门光电子工业部资助
采用有效质量理论６带模型，计算了应变层超晶格ＧａＮＡｌＮ（００１）的电子结构，具体计算不同应变状态的价带子能带色散曲线、光吸收曲线。分析了应变状态以及重轻空穴和自旋轨道分裂带相互作用对子带结构的影响。
关键词：有效质量理论 空穴子带 应变层超晶格 
应变层超晶格Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)光致发光谱
《Journal of Semiconductors》1998年第11期818-823,共6页史向华 柯练 靳彩霞 魏彦峰 凌震 俞根才 王杰 
国家自然科学基金
本文报道了分子束外延生长的应变层超晶格Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．８８的光致发光谱．分析了影响激子线型展宽的主要因素．定量表征了４．４Ｋ下合金涨落和阱厚涨落对线型展宽的贡献...
关键词：应变层超晶格 光致发光谱 外延生长 半导体生长 
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