InAs/GaInSb应变层超晶格材料的界面结构  

The interface structure of InAs/GaInSb strained-layer superlattice

作　　者：邱永鑫[1] 李美成[1] 赵连城[1] 

机构地区：[1]哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,黑龙江哈尔滨150001

出　　处：《功能材料》2005年第9期1316-1319,1323,共5页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金委员会资助项目(50272019)

摘　　要：介绍了InAs/GaInSb应变层超晶格材料的界面结合类型及其对材料界面结构和光电性能的影响,分析了在超晶格界面处的原子置换和扩散现象。同时,总结了分子束外延生长过程中控制InAs/GaInSb超晶格界面结构的生长工艺,指出采用原子迁移增强(MEE)外延生长技术,可以有效地抑制界面处原子的置换和扩散现象。The type of interface structure and its effect on the interface structure and photoelectric properties of Ⅱ InAs/GaInSb strained-layer superlattice have been introduced. And the atom replacement and diffusion at the interface have been analyzed. Meanwhile, by summarizing the processing of controlling MBE growth of InAs/ GaInSb interface, we proposed that the migration-enhanced epitaxial （MEE） technique can effectively alleviate the degree of atom replacement and diffusion at the interface of the superlattices.

关 键 词：应变层超晶格 InAs/GaInSb 界面结构 分子束外延 

分 类 号：TG146[一般工业技术—材料科学与工程]