靳彩霞

作品数：12被引量：7H指数：2
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供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
发文主题：XZN砷化镓分子束外延光谱研究更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《Journal of Semiconductors》《光学学报》《物理》更多>>
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应变层超晶格Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)光致发光谱
《Journal of Semiconductors》1998年第11期818-823,共6页史向华 柯练 靳彩霞 魏彦峰 凌震 俞根才 王杰 
国家自然科学基金
本文报道了分子束外延生长的应变层超晶格Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．８８的光致发光谱．分析了影响激子线型展宽的主要因素．定量表征了４．４Ｋ下合金涨落和阱厚涨落对线型展宽的贡献...
关键词：应变层超晶格 光致发光谱 外延生长 半导体生长 
S钝化GaAs(100)衬底上分子束外延ZnSe薄膜的喇曼光谱研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1998年第3期166-171,共6页史向华 靳彩霞 凌震 俞根才 王杰 侯晓远 
用分子束外延法（ＭＢＥ）分别在经（ＮＨ４）２Ｓｘ溶液和Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＺｎＳｅ薄膜．用室温喇曼光谱对不同处理方法的ＧａＡｓ上所长ＺｎＳｅ薄膜的晶体质量和ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面进行对比...
关键词：分子速外延 硒化锌 砷化镓 衬底 
Zn_(1-x)Mn_(x)/ZnSe应变超晶格分子束外延生长及光学特性研究
《光学学报》1998年第5期635-640,共6页靳彩霞 史向华 柯炼 张保平 凌晨 余更才 王杰 候晓远 
用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上成功生长了高质量的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ（ｘ＝０．１６）超晶格结构，用Ｘ射线衍射和低温光致发光（ＰＬ）对其结构、应变分布以及光学性能进行了研究。结果表明，２Ｋ温度下，...
关键词：Zn1-xMnxSe/ZnSe超晶格 X射线衍射谱 光致发光性质 
GaAs(001)衬底上MnTe与相关超晶格的晶格生长和光谱特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》1998年第2期92-96,共5页凌震 靳彩霞 俞根才 王杰 沈孝良 张保平 
在ＧａＡｓ（００１）衬底上，用分子束外延方法生长ＭｎＴｅ薄膜和ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ等超晶格，发现在ＭｎＴｅ外延层中可能出现的ｂｃｃ晶畴，在超晶格中得到抑制，而且ＭｎＴｅ薄膜或超晶格中的ＭｎＴｅ层都不是严格的闪锌矿结构．...
关键词：砷化镓 晶格生长 外延生长 
Zn_(1-x)Mg_xSe外延合金薄膜的结构研究
《Journal of Semiconductors》1997年第12期881-887,共7页魏彦锋 黄大鸣 王东红 靳彩霞 王杰 沈孝良 
国家自然科学基金
用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上生长了Zn1-xMgxSe三元合金薄膜（0≤x≤1），用X-射线衍射和喇曼散射谱7研究了薄膜的结构，发现对x较小的样品，合金层为单一的（100）面闪锌矿结构，（111）面的含量可以忽略．对x≈0．5的样品，...
关键词：分子束延法 外延生长 三元合金薄膜 半导体材料 
Zn_(1-x)Mg_xSe外延半导体合金薄膜的红外反射光谱研究
《红外与毫米波学报》1997年第6期406-412,共7页王东红 黄大鸣 魏彦锋 靳彩霞 王杰 陈张海 陆卫 
国家自然科学基金
用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｅ（０≤ｘ≤１）三元半导体合金薄膜．在室温下测量了这些样品的红外反射光谱．采用介电函数的经典色散理论，并且考虑衬底的影响后，计算了样品的红外反射光谱并...
关键词：外延薄膜 红外反射光谱 锌锰硒 三元半导体 
Zn_(1-x)Mn_xSe/Zne应变超晶格的分子束外延生长及特性研究
《Journal of Semiconductors》1997年第9期648-653,共6页靳彩霞 凌震 王东红 俞根才 王杰 黄大鸣 侯晓远 沈孝良 姚文华 
用分子束外延方法在GaAS（100）衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe／Znse（x＝0．16，x＝0．14）超晶格结构．用X射线衍射和喇曼散射对其结构、应变分布以及光散射性能进行了研究．当超晶格的总厚度大于其临界厚度时，超晶格将完全弛...
关键词：分子束外生长 化合物半导体 应变超晶格 
实现Ⅱ-Ⅵ族半导体蓝色激光器的新途径被引量：3
《物理》1997年第8期459-462,共4页靳彩霞 王迅 
介绍了一种以Ｂｅ的Ⅵ族化合物ＢｅＭｇＺｎＳｅ与ＺｎＳｅ组成的量子阱发光二极管的结构、性能和特点。
关键词：Ⅱ-Ⅵ化合物 蓝色 半导体激光器 铍 
GaAs衬底上分子束外延ZnTe_(1-x)S_x合金的光学声子散射研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1997年第7期497-501,共5页靳彩霞 王东红 凌震 俞根才 王杰 黄大鸣 侯晓远 沈孝良 姚文华 
用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上外延生长了不同组分的ZnTe1-xSx（0＜x＜1）合金．用X射线衍射和喇曼散射对该合金的晶体结构和光学声子散射性能进行了研究．通过对其光学声子频率随x的变化研究发现，ZnTe1-xSx合金呈现典型的双模...
关键词：砷化镓 衬底 分子束外延 光学声子散射 合金 
宽禁带Ⅱ－Ⅵ族四元合金Zn_（1－x）Mg_xS_ySe_（1－y）成分的定量俄
《Journal of Semiconductors》1996年第9期646-650,共5页靳彩霞 凌震 诸长生 俞根才 王杰 赵国珍 
用分子束外延法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了高质量的四元合金Ｚｎ（１－ｘ）ＭｇｘＳｙＳｅ（１－ｙ）薄膜．在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、Ｘ射线衍射和喇曼散射研究后，提出了一种确定四元合金Ｚｎ（１－ｘ）ＭｇｘＳｙＳ...
关键词：Ⅱ-Ⅵ族 四元合金 ZNMGSSE 化合物半导体 
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