柯炼

作品数:5被引量:7H指数:1
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供职机构:复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
发文主题:氧化锌半导体激光器量子点受激发射更多>>
发文领域:电子电信理学更多>>
发文期刊:《光学学报》《物理学报》《物理》《Journal of Semiconductors》更多>>
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Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器的新材料——ZnO量子点被引量:7
《物理》1999年第1期30-34,共5页柯炼 缪熙月 魏彦峰 王杰 王迅 
介绍了研制Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器方面的一个新途径———自组织生长ZnO量子点微晶结构.ZnO已经实现了室温下光泵激发的受激发射.它将是继Ⅱ-Ⅵ族硒化物、Ⅲ-Ⅴ簇氮化物之后的又一种半导体激光器材料.
关键词:量子点 受激发射 半导体激光器 氧化锌 Ⅱ-Ⅵ族 
导纳谱研究两类Si基量子阱基态子能级的性质
《物理学报》1998年第7期1171-1179,共9页林峰 盛篪 柯炼 朱建红 龚大卫 张胜坤 俞敏峰 樊永良 王迅 
用导纳谱技术研究了两类Si基量子阱样品基态子能级的性质.基于量子阱中载流子的热激发模型,从导纳谱中得到的激发能值被认为是阱中重空穴基态位置到阱顶的距离.对于SiGe合金和Si形成的组分量子阱,主要研究了退火对重空穴基...
关键词:硅基 量子阱 子能级 导纳谱 基态 
脉冲激光沉积Ta_2O_5薄膜的Al/Ta_2O_5/n-Si结构的C-V和DLTS研究
《自然科学进展(国家重点实验室通讯)》1998年第3期364-370,共7页张胜坤 付正文 柯炼 秦启宗 陆昉 王迅 
国家自然科学基金(批准号:29683001)
Ta_2O_5是一种性能优良的绝缘体材料,相对于传统MOS工艺中的SiO_2,Si_3N_4而言,它具有很高的介电常数(ε_(Ta_2O_5)=25,ε_(SiO_2)=4,ε(Si_3N_4)=7),高阻抗,低内应力,及耐高压等优点。因此,它在未来的Si集成电路工艺中具有潜在的应用...
关键词:脉冲激光沉积 五氧化二钽 薄膜 电学性质 DLTS 
Zn_(1-x)Mn_(x)/ZnSe应变超晶格分子束外延生长及光学特性研究
《光学学报》1998年第5期635-640,共6页靳彩霞 史向华 柯炼 张保平 凌晨 余更才 王杰 候晓远 
用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe/ZnSe(x=0.16)超晶格结构,用X射线衍射和低温光致发光(PL)对其结构、应变分布以及光学性能进行了研究。结果表明,2K温度下,...
关键词:Zn1-xMnxSe/ZnSe超晶格 X射线衍射谱 光致发光性质 
导纳谱研究锗硅单量子阱的退火效应
《Journal of Semiconductors》1998年第1期66-71,共6页柯炼 林峰 张胜坤 谌达宇 陆昉 王迅 
国家自然科学基金
利用导纳谱研究了锗硅单量子阱的热稳定性.导纳谱热发射模型的理论模拟和深能级缺陷研究表明:在900℃以下退火10分钟,晶格弛豫并不明显,但原子的互扩散引起量子阱中子能级严重降低.同时,我们计算出了原子的互扩散系数,以及...
关键词:  单量子阱 退火效应 
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