脉冲激光沉积Ta_2O_5薄膜的Al/Ta_2O_5/n-Si结构的C-V和DLTS研究  

作　　者：张胜坤[1] 付正文[2] 柯炼[1] 秦启宗[2] 陆昉[1] 王迅[1] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433 [2]复旦大学激光化学研究所,上海200433

出　　处：《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1998年第3期364-370,共7页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:29683001)

摘　　要：Ta_2O_5是一种性能优良的绝缘体材料,相对于传统MOS工艺中的SiO_2,Si_3N_4而言,它具有很高的介电常数(ε_(Ta_2O_5)=25,ε_(SiO_2)=4,ε(Si_3N_4)=7),高阻抗,低内应力,及耐高压等优点。因此,它在未来的Si集成电路工艺中具有潜在的应用前景。迄今为止,人们尝试了用许多方法来制备Ta_2O_5薄膜,其中包括反应性溅射沉积,低压化学气相沉积(LPCVD),等离子体增强化学气相沉积(PECVD),光诱导化学气相沉积等,并对薄膜的结构和电学特性做了大量的研究工作。然而,对脉冲激光沉积的Ta_2O_5薄膜的电学性质的研究还未见报道。

关 键 词：脉冲激光沉积 五氧化二钽 薄膜 电学性质 DLTS 

分 类 号：O484.42[理学—固体物理]