导纳谱研究锗硅单量子阱的退火效应  

作　　者：柯炼[1] 林峰[1] 张胜坤[1] 谌达宇[1] 陆昉[1] 王迅[1] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》1998年第1期66-71,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：利用导纳谱研究了锗硅单量子阱的热稳定性．导纳谱热发射模型的理论模拟和深能级缺陷研究表明：在９００℃以下退火１０分钟，晶格弛豫并不明显，但原子的互扩散引起量子阱中子能级严重降低．同时，我们计算出了原子的互扩散系数，以及单量子阱Ｓｉ／Ｓｉ０．７５Ｇｅ０．２５／Ｓｉ中原子互扩散的热激活能１．０８ｅＶ．

关 键 词：锗 硅 单量子阱 退火效应 

分 类 号：TN304.11[电子电信—物理电子学] TN304.12