Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器的新材料——ZnO量子点  

ZnO QUANTUM DOTSA NOVEL MATERIAL FOR THE FABRICATION OF Ⅱ-Ⅵ SEMICONDUCTOR LASERS

作　　者：柯炼[1] 缪熙月[1] 魏彦峰[1] 王杰[1] 王迅[1] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室

出　　处：《物理》1999年第1期30-34,共5页Physics

摘　　要：介绍了研制Ⅱ－Ⅵ族半导体激光器方面的一个新途径———自组织生长ＺｎＯ量子点微晶结构．ＺｎＯ已经实现了室温下光泵激发的受激发射．它将是继Ⅱ－Ⅵ族硒化物、Ⅲ－Ⅴ簇氮化物之后的又一种半导体激光器材料．Self-organized ZnO quantum dots,a novel material for Ⅱ-Ⅵ semiconductor lasers are discussed.Stimulated emission from ZnO by optical pumping has been realized at room temperature.This kind of material will be another candidate for semiconductor lasers besides Ⅱ-Ⅵ selenides and Ⅲ-Ⅴ nitrides.

关 键 词：量子点 受激发射 半导体激光器 氧化锌 Ⅱ-Ⅵ族 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]