侯晓远

作品数：69被引量：159H指数：7
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供职机构：复旦大学更多>>
发文主题：多孔硅砷化镓硫钝化钝化发光更多>>
发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>
发文期刊：《物理学进展》《科学通报》《光学与光电技术》《功能材料与器件学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金教育部跨世纪优秀人才培养计划中国博士后科学基金更多>>
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有机太阳能电池简介被引量：1
《光学与光电技术》2017年第6期1-4,共4页侯晓远 
Ⅰ-Ⅴ曲线是最基本也是最重要的表征太阳能电池性能的方法。而在有机小分子器件中,各个界面的物理过程发挥至关重要的作用。因此,着重研究界面物理过程对于Ⅰ-Ⅴ曲线的影响。在实验中证实了S形Ⅰ-Ⅴ曲线来自于ITO/有机界面的衰减,并且...
关键词：有机太阳能电池 激子 界面修饰 衰减 Ⅰ-Ⅴ曲线 
掺杂浓度和无序对柔性有机发光二极管载流子迁移率的影响被引量：1
《红外与毫米波学报》2011年第3期271-275,共5页陈雨璐 侯晓远 岑剡 
复旦大学“学生学术科技创新行动支持计划”(B2-19-04)
基于电荷分布的泊松方程和载流子输运方程,考虑最低能量非占据态和最高能量占据态的载流子态密度服从双高斯分布的模型,自洽地研究了掺杂浓度和无序对Alq3柔性有机发光二极管载流子迁移率的影响.发现掺杂浓度低于1×1020cm-3时,掺杂浓...
关键词：有机发光二极管 掺杂浓度 迁移率 
多孔硅反射镜基有机微腔器件的微结构和光电特性研究被引量：5
《中国科学（E辑）》2005年第3期278-289,共12页熊祖洪 樊永良 詹义强 张松涛 丁训民 侯晓远 
国家重点基础研究特别基金(批准号: 2001CB610408);重庆市科委(批准号: 2003-7934)资助项目
从微结构和光电特性方面研究了一种新型硅基微腔的有机发光器件(SBM-OLEDs): 硅基多孔硅分布 Bragg 反射镜(PS-DBR)/SiO2/ITO/有机多层膜/LiF/Al(1 nm)/Ag. 微腔器件的重要组成部分 PS-DBR 由低成本、高效率的电化学腐蚀方法制备. 场发...
关键词：多孔硅 电化学腐蚀 硅基微腔 电致发光 有机光发射二极管 
声空化物理化学综合法制备发光多孔硅薄膜的微结构与发光特性被引量：8
《物理学报》2005年第1期416-421,共6页刘小兵 史向华 廖太长 任鹏 柳玥 柳毅 熊祖洪 丁训民 侯晓远 
湖南省自然科学基金 (批准号 :0 4JJ3 0 3 0 );国家自然科学基金 (批准号:195 2 5 410 )资助的课题~~
声空化所引发的特殊的物理、化学环境为制备高效发光的多孔硅薄膜提供了一条重要的途径 .实验结果表明 ,声化学处理对于改善多孔硅的微结构 ,提高发光效率和发光稳定性都是一项非常有效的技术 .超声波加强阳极电化学腐蚀制备发光多孔硅...
关键词：声空化物理 多孔硅 发光特性 塌缩 氢气泡 微结构 声化学 硅薄膜 发光效率 腐蚀液 
多孔硅的微结构对其Raman谱的影响
《半导体光电》2004年第3期194-196,共3页刘小兵 史向华 柳毅 柳玥 王行军 丁训民 侯晓远 
国家自然科学基金资助项目(19525410)
　用场发射扫描电子显微镜研究了用直流化学腐蚀和脉冲电化学腐蚀方法制备的多孔硅(PS)的微结构,观察并测试了孔洞的垂直度、深度以及洞宽(直径),对PS的纵向微结构进行了二次电子图像和背散电子图像的分析。使用高灵敏的共焦显微Raman...
关键词：多孔硅 场发射扫描电镜 RAMAN谱 微结构 
多孔硅薄膜纵向分辨Raman谱研究
《长沙电力学院学报（自然科学版）》2003年第3期67-69,共3页刘小兵 史向华 柳毅 柳玥 王行军 丁训民 侯晓远 
国家自然科学基金资助项目(19525410)
采用高灵敏度的micro Raman系统研究了多孔硅(PS)在纵向的Raman效应,并研究了多孔硅尺寸对Raman谱的影响.实验中采用脉冲电化学腐蚀和直流电化学腐蚀两种方法制备PS样品,纵向Raman光谱的结果表明,在纵向不同深度,用脉冲电化学腐蚀方法...
关键词：多孔硅薄膜 纵向分辨Raman谱 Raman效应 脉冲电化学腐蚀 直流电化学腐蚀 发光机理 
分子束外延ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)超晶格光学特性
《Journal of Semiconductors》2003年第4期377-380,共4页史向华 王兴军 俞根才 侯晓远 
用分子束外延方法在 Ga As(10 0 )衬底上生长了高质量的 Zn Se/ Zn Sx Se1 - x(x=0 .12 )超晶格结构 ,通过 X射线衍射谱和光致发光谱 ,对其结构特性和光学特性进行了研究 .结果表明 :在 4 .4 K温度下 ,超晶格样品显示较强的蓝光发射 ,...
关键词：分子束外延 Zndse/ZnsxSe1-x 超晶格 光学特性 X射线衍射谱 光致发光性质 硒化锌 锌硫硒混合物 
分子束外延ZnSe/GaAs材料的拉曼散射研究被引量：4
《光学学报》2003年第5期619-621,共3页史向华 王兴军 俞根才 侯晓远 
用分子束外延 (MBE)技术 ,在GaAa( 10 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 45 μm到 1.4μm的ZnSe薄膜。通过室温拉曼光谱的测量对ZnSe薄膜纵光学声子 (Longitudinal opticalphonon)的谱形进行了分析。用拉曼散射的空间相关模型定量分析了一级...
关键词：分子束外延 光学材料 砷化镓 硒化锌 拉曼光谱 相干长度 薄膜生长 化合物半导体 
电致发光色纯性增强的硅基有机微腔被引量：10
《物理学报》2003年第5期1222-1229,共8页熊祖洪 史华忠 樊永良 张松涛 詹义强 何钧 钟高余 徐少辉 柳毅 王晓军 王子君 丁训民 黄维 侯晓远 
国家自然科学基金 (批准号 :699760 10 );上海市科委重点科技项目 (批准号 :99JC14 0 0 7);上海市博士后基金资助的课题~~
报道了硅基有机微腔的电致发光 (EL) .该微腔由上半透明金属膜、中心有源多层膜和多孔硅分布Bragg反射镜(PS DBR)组成 .半透明金属膜由Ag( 2 0nm)构成 ,充当发光器件的负电极和微腔的上反射镜 .有源多层膜由Al ( 1nm) LiF( 0 5nm) Al...
关键词：硅基有机微腔 电致发光 电化学腐蚀 色纯性 有机光发射器件 有机光发射显示器 
GaAsFET的表面漏电
《功能材料与器件学报》2003年第1期47-52,共6页李效白 马农农 侯晓远 
GaAs及其他Ⅲ-Ⅴ族半导体的表面漏电问题一直是人们感兴趣的研究课题,它对化合物半导体器件和电路的性能有重要的影响。Na+沾污GaAs表面使表面漏电大幅度上升,硫钝化GaAs场效应管大幅度减少了表面态。本文详细介绍本研究组在GaAsFET表...
关键词：砷化镓场效应管 击穿电压 漏虫 Na^+沾污 硫钝化 
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