云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 硫钝化

硫钝化: 作品数：22被引量：26H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：侯晓远陆尔东王迅丁训民张新夷更多>>; 相关机构：复旦大学中国科学院长春理工大学中国科学技术大学更多>>; 相关期刊：《半导体杂志》《半导体技术》《中国激光》《压电与声光》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金吉林省科技发展计划基金北京市自然科学基金更多>>

钝化处理对Al_2O_3/InP MOS电容界面特性的影响被引量：1: 《半导体技术》2019年第6期438-443,共6页李海鸥李玺李跃刘英博孙堂友李琦李陈成陈永和; 国家自然科学基金资助项目(61764001;61474031;61874036;61805053);广西自然科学基金重点基金资助项目(2016GXNSFDA380021);广西教育厅科研项目(2018KY0193);广西创新研究团队项目(2018JJF170001);广西精密导航技术与应用重点实验室资助项目(DH201801;DH201808;DH201702;DH201701);桂林电子科技大学研究生科研创新项目(2018YJCXB15;2018YJCX25); 制备了Al/Al_2O_3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容,分别采用氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺处理InP表面。研究了在150、200和300 K温度下样品的界面特性和漏电特性。实验结果表明,硫钝化工艺能够有效地降低快界面态,在150 K下测试得到...; 关键词：氮等离子体钝化硫钝化界面态密度边界陷阱密度隧穿电流

表面硫钝化对GaAs材料光响应特性的影响被引量：6: 《中国激光》2018年第6期92-97,共6页夏宁方铉容天宇王登魁房丹唐吉龙王新伟王晓华李永峰姚斌魏志鹏; 国家自然科学基金(61404009;61474010;61574022;61504012;61674021;11674038);吉林省科技发展计划(20160519007JH;20160101255JC;20160204074GX;20170520117JH); 采用湿法硫钝化的方式,显著降低了砷化镓(GaAs)材料的表面态密度。钝化处理后的GaAs薄膜光致发光强度提高了约14倍,光电流和响应度均增大。从能带角度分析了样品性能提升的原因,结果表明,钝化处理有利于表面态密度和肖特基势垒高度的调...; 关键词：薄膜砷化镓光致发光硫钝化光电流光响应

GaSb晶片钝化工艺对抛光表面的影响: 《压电与声光》2016年第5期808-810,共3页卢伟涛程红娟张弛高飞; 总装预研基金资助项目; 锑化镓(GaSb)作为常用的III-V型半导体材料,因其易于氧化的性质而限制了其应用效果,而硫钝化是一种常见而有效的应对手段。该文选取了硫化铵溶液,对化学机械抛光后的晶片表面进行处理,以研究硫钝化工艺中钝化时间对抛光面的影响。实验...; 关键词：锑化镓(GaSb) 化学机械抛光硫钝化原子力显微镜(AFM) X线光电子能谱(XPS)

硫钝化可提高GaSb表面光学性质被引量：1: 《长春理工大学学报（自然科学版）》2015年第1期107-111,共5页安宁刘国军李占国魏志鹏马晓辉; 国家自然科学基金(61006039;61370043); 由于锑化镓(GaSb)表面存在着大量的氧化物及悬挂键,使得材料具有较高的表面态密度,这将导致GaSb费米能级钉扎,严重限制了其器件的应用和发展。同时,这些氧化物及悬挂键将构成非辐射复合中心,影响表面发光。本文通过酸性饱和S2Cl2溶液(...; 关键词：S2Cl2溶液 (NH4)2S溶液 GaSb表面钝化

氧化铝薄膜对硫钝化InP材料光学稳定性的影响: 《材料导报》2013年第24期18-21,共4页田珊珊魏志鹏赵海峰高娴方铉唐吉龙楚学影方芳李金华王晓华李梅马晓辉; 国家自然科学基金(61006065;61076039;61204065;61205193;10804071);高功率半导体激光国家重点实验室基金(9140C310101120C031115);高等学校博士学科点专项科研基金(201022216110002;20102216110001;20112216120005);吉林省科技发展计划(20090139;20090555;20121816;201201116);吉林省教育厅项目(2011JYT05;2011JYT10;2011JYT11); 利用原子层沉积法(ALD)在硫钝化后的n型InP表面沉积Al2O3薄膜进行二次钝化处理。通过光致发光(PL)测试和原子力显微镜(AFM)测试对样品的光学性质及表面形貌进行表征。硫钝化能够有效降低样品的表面态密度及无辐射复合几率,因此样品PL发...; 关键词：INP 光致发光硫钝化表面态密度 AL2O3 薄膜

硫钝化GaP(001)表面的结构及电学性质研究: 《半导体光电》2008年第5期696-699,704,共5页李登峰雷跃荣肖海燕祖小涛董会宁; 国家自然科学基金资助项目(10175042);重庆市科委基金资助项目(CSTC,2007BB4385); 基于第一性原理的密度泛函理论,分析了覆盖度为1 ML(monolayer)的硫吸附在磷截止和镓截止的GaP(001)(1×2)表面的结构和电学属性。能量计算表明,最稳定的吸附模型均是SHB+ST4,镓和磷二聚物都被断开,周期单元由(1×2)变成(1×1),硫原子...; 关键词：密度泛函理论磷化镓能带态密度功函变化

808nm半导体激光器腔面硫钝化工艺研究被引量：5: 《固体电子学研究与进展》2006年第2期201-204,共4页田增霞崔碧峰徐晨舒雄文张蕾沈光地; 国家973计划(20000683-02);北京市教委项目(2002kj018);北工大博士启动基金(kz0204200387);国家自然科学基金(60407009);北京自然科学基金(4032007); 对808 nm大功率半导体激光器腔面硫钝化处理的工艺进行了研究,发现腔面硫钝化可以提高激光器的输出特性以及其可靠性,输出功率提高了16.7%;经过1 500 h老化实验后,硫钝化的半导体激光器没有明显退化,而未处理的激光器退化严重,输出功率...; 关键词：半导体激光器腔面硫钝化可靠性

改善GaAs MESFETs硫钝化稳定性研究的新探索: 《电子器件》2005年第1期135-137,共3页李亚丽杨瑞霞杨克武; 军事预研基金资助项目(51432020103QT4501);河北省自然科学基金资助项目(F2004000078)。; 硫钝化可以明显改善GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFETs)的击穿特性,但钝化效果不稳定。我们利用硫钝化和PECVD SiNx 钝化相结合的方法,使钝化的稳定性得到了提高,但同时击穿电压会出现下降。击穿电压下降的主要原因是:As S键很不稳定...; 关键词：硫钝化GaAs MESFETS 稳定性PECVD SINX

硫钝化对GaAs MESFET饱和源漏电流影响的实验研究: 《河北工业大学学报》2004年第3期42-44,共3页李晓光王同祥李效白杨瑞霞; 国家重点实验室基金资助项目(51432020101JW0701); 硫钝化对GaAsFET的电特性有重要影响[1].本文分析了硫钝化后GaAsMESFET饱和源漏电流(IDss)下降的原因,认为硫处理降低了和/(为施主缺陷密度;为受主缺陷密度),表面费米能级向价带顶移动,能带弯曲加剧,表面耗尽层变厚,导电沟道变窄,是导...; 关键词：硫钝化场效应晶体管饱和源漏电流施主缺陷受主缺陷

GaAsFET的表面漏电: 《功能材料与器件学报》2003年第1期47-52,共6页李效白马农农侯晓远; GaAs及其他Ⅲ-Ⅴ族半导体的表面漏电问题一直是人们感兴趣的研究课题,它对化合物半导体器件和电路的性能有重要的影响。Na+沾污GaAs表面使表面漏电大幅度上升,硫钝化GaAs场效应管大幅度减少了表面态。本文详细介绍本研究组在GaAsFET表...; 关键词：砷化镓场效应管击穿电压漏虫 Na^+沾污硫钝化

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