肖海燕

作品数：7被引量：17H指数：2
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供职机构：电子科技大学更多>>
发文主题：密度泛函理论表面合金SN第一性原理研究低噪声更多>>
发文领域：理学电子电信核科学技术金属学及工艺更多>>
发文期刊：《半导体光电》《材料导报（纳米与新材料专辑）》《功能材料》《电子科技大学学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”重庆市科委基金重庆市教委科研基金更多>>
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BeO高压相变的从头算分子动力学模拟
《材料导报（纳米与新材料专辑）》2011年第1期264-268,共5页段刚 王祥见 肖海燕 
国家自然科学基金项目(11004023);教育部留学回国人员科研启动基金项目
利用从头算分子动力学方法研究了BeO的高压诱导相变,发现,在360GPa压强下纤锌矿(WZ)结构的BeO平稳地相变为岩盐(RS)结构,且没有经过闪锌矿(ZB)结构。相变机制包含模拟胞的单斜变形、沿[2110]方向的原子膨胀以及沿[0110]和[0001]方向的...
关键词：BEO 高压 相变 从头算分子动力学模拟 
硫钝化GaP(001)表面的结构及电学性质研究
《半导体光电》2008年第5期696-699,704,共5页李登峰 雷跃荣 肖海燕 祖小涛 董会宁 
国家自然科学基金资助项目(10175042);重庆市科委基金资助项目(CSTC,2007BB4385)
基于第一性原理的密度泛函理论,分析了覆盖度为1 ML(monolayer)的硫吸附在磷截止和镓截止的GaP(001)(1×2)表面的结构和电学属性。能量计算表明,最稳定的吸附模型均是SHB+ST4,镓和磷二聚物都被断开,周期单元由(1×2)变成(1×1),硫原子...
关键词：密度泛函理论 磷化镓 能带 态密度 功函变化 
Ni(100)表面吸附Sn的第一性原理研究被引量：1
《电子科技大学学报》2007年第4期663-665,共3页李登峰 肖海燕 祖小涛 董会宁 
国家自然科学基金资助项目(10175042);重庆市科委基金资助项目(2005BB4070);重庆市教委基金资助项目(050502)
用第一性原理的密度泛函理论分析了Sn吸附在Ni(100)表面的几何结构和稳定相吸附前后的功函变化情况。能量计算表明最稳定相是0.5ML(monolayer)的Sn替代Ni(100)表面最外层原子形成c(2×2)结构的合金相,皱褶幅度为0.049nm,与通过低能碱金...
关键词：皱褶幅度 密度泛函理论 锡化镍 表面合金 功函变化 
Ni（111）（√3×√3）R30°表面吸附Sn和Pb的第一性原理研究
《功能材料》2007年第A07期2796-2799,共4页李登峰 肖海燕 祖小涛 董会宁 
用第一性原理的自旋密度泛函理论计算了Sn和Pb吸附在Ni（111）（√3×√3）R30°表面的几何构型和功函变化。能量计算表明Sn和Pb吸附在（111）（√3×√3）R30°表面形成的最稳定相均是替代吸附，并不存在类似于Sb吸附于Cu（111）（√3...
关键词：密度泛函理论 表面合金 锡化镍 铅化镍 层错 功函变化 
MgS晶体结构性质的密度泛函研究被引量：8
《物理学报》2005年第11期5301-5307,共7页陈中钧 肖海燕 祖小涛 
国家自然科学基金(10376006);新世纪优秀人才支持计划资助的课题.~~
采用基于密度泛函理论(DFT)基础上的第一性原理赝势平面波方法对MgS晶体四种构型(B1,B2,B3,B4)的体相性质进行了系统研究.计算结果表明,B1构型的晶体是间接带隙型半导体,而B2,B3和B4构型的晶体则是直接带隙型材料,其中B2构型的带隙宽度...
关键词：MgS 第一性原理赝势平面波方法 电子结构 转化压力 密度泛函理论(DFT) 结构性质 MgS 晶体 带隙宽度 第一性原理 计算结果 系统研究 构型 
α-铁中位移级联过程中缺陷的生成和He-空位复合物的形成被引量：7
《物理学报》2005年第10期4857-4862,共6页杨莉 祖小涛 肖海燕 杨树政 刘柯钊 Fei Gao 
国家自然科学基金(批准号:10376006);新世纪优秀人才支持计划资助.~~
运用分子动力学方法研究了不同He浓度和不同级联能下含He的α-Fe低温时的位移级联过程.模拟的主要撞击原子(PKA)的能量(EP)(即级联能)从500eV变化到5keV,辐照温度为100K,He的浓度从1%变化到5%.比较了不同He浓度下的Fe-He混合物和纯α-F...
关键词：FE 位移级联 He-空位复合物 分子动力学 级联过程 位移 复合物 α-铁 Α-FE 浓度增加 
低噪声CMOS电荷敏放大器设计与研制(英文)被引量：1
《电子科技大学学报》2003年第2期146-148,163,共4页于奇 杨谟华 李竞春 王向展 肖海燕 
国家自然科学基金资助项目;编号:60072004 ~~
提出了一种新的低噪声低功耗电荷敏感放大器设计方案。用EDA软件Cadence进行模拟,得到了满意的仿真结果:直流开环增益为82.9 dB,f-3dB为28 kHz,相位裕度为46.9 ,低频下输出噪声频谱密度为1.5 mV/Hz2。采用标准的3 mm P阱CMOS工艺进行了...
关键词：低噪声 电荷放大器 低功耗设计 低电压 CMOS 仿真 
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