SINX

作品数：207被引量：158H指数：6
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A high-speed true random number generator based on Ag/SiNx/n-Si memristor
《Frontiers of physics》2024年第1期241-250,共10页Xiaobing Yan Zixuan Zhang Zhiyuan Guan Ziliang Fang Yinxing Zhang Jianhui Zhao Jiameng Sun Xu Han Jiangzhen Niu Lulu Wang Xiaotong Jia Yiduo Shao Zhen Zhao Zhenqiang Guo Bing Bai 
supported by the National Key R&D Plan“Nano Frontier”Key Special Project(Grant No.2021YFA1200502);Cultivation Projects of National Major R&D Project(Grant No.92164109);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61874158,62004056,and 62104058);the Special Project of Strategic Leading Science and Technology of Chinese Academy of Sciences(Grant No.XDB44000000-7);Key R&D Plan Projects in Hebei Province(Grant No.22311101D);Hebei Basic Research Special Key Project(Grant No.F2021201045);the Support Program for the Top Young Talents of Hebei Province(Grant No.70280011807);the Supporting Plan for 100 Excellent Innovative Talents in Colleges and Universities of Hebei Province(Grant No.SLRC2019018);the Interdisciplinary Research Program of Natural Science of Hebei University(No.DXK202101);the Institute of Life Sciences and Green Development(No.521100311);the Natural Science Foundation of Hebei Province(Nos.F2022201054 and F2021201022);the Outstanding Young Scientific Research and Innovation Team of Hebei University(Grant No.605020521001);the Special Support Funds for National High Level Talents(Grant No.041500120001);the Advanced Talents Incubation Program of the Hebei University(Grant Nos.521000981426,521100221071,and 521000981363);the Science and Technology Project of Hebei Education Department(Grant Nos.QN2020178 and QN2021026).
The intrinsic variability of memristor switching behavior can be used as a natural source of randomness,this variability is valuable for safe applications in hardware,such as the true random number generator(TRNG).How...
关键词：volatile memristor true random number generator(TRNG) delay time threshold switching device 
分光比可设计的偏振无关光功分器研究被引量：2
《激光与光电子学进展》2023年第17期334-341,共8页汪静丽 刘海广 张跃腾 宋雨辰 沈晗潇 陈鹤鸣 钟凯 
国家自然科学基金(61571237);江苏省自然科学基金(BK20151509);南京邮电大学校级科研基金(NY217047)。
基于三明治结构和绝热耦合器,设计了一种分光比可设计的偏振无关光功分器,对波长为1550 nm的光信号实现所需分光比的功率分配。通过调节三明治结构中间层材料SiNx的折射率,使同一波长下横电(TE)和横磁(TM)偏振模的分光比相等,实现偏振无...
关键词：分光比可设计 绝热耦合器 三明治结构 偏振无关 SINX 
Global optimization of process parameters for low-temperature SiN_(x) based on orthogonal experiments
《Advances in Manufacturing》2023年第2期181-190,共10页Lian-Qiao Yang Chi Zhang Wen-Lei Li Guo-He Liu Jia-Qi Wu-Ma Jin-Qiang Liu Jian-Hua Zhang 
financially supported by the National Key Research and Development Program of China(Grant No.2020YFB2008501);Huawei Technologies Co.,Ltd.
Low-temperature silicon nitride(SiNx)films deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition(PECVD)have huge application potential in the flexible display.However,the applicability of SiNx largely depends on the ...
关键词：Plasma-enhanced chemical vapor deposition(PECVD) Low-temperature silicon nitride(SiNx) Flexible display Taguchi orthogonal experiment Process optimization 
TOPCon太阳电池发射极Al_(2)O_(3)/SiNx与SiO_(2)/Al_(2)O_(3)/SiNx叠层膜钝化性能的比较被引量：1
《人工晶体学报》2022年第12期2090-2095,共6页杨露 刘大伟 张婷 魏凯峰 石慧君 
本文对TOPCon电池发射结的叠层钝化膜进行了研究,对比了3种不同叠层钝化膜(SiO_(2)/SiNx、Al_(2)O_(3)(1.5 nm)/SiNx、SiO_(2)/Al_(2)O_(3)(1.5 nm)/SiNx)的钝化性能。结果表明:Al_(2)O_(3)(1.5 nm)/SiNx的钝化性能优于SiO_(2)/SiNx,SiO...
关键词：TOPCon电池 表面钝化 三氧化二铝 Al_(2)O_(3)/SiNx叠层钝化膜 钝化性能 隐开路电压 
SiNx表面修饰在剥离技术中的应用
《信息记录材料》2022年第7期58-61,共4页刘海军 张靖 莫才平 段利华 闫应星 黄晓峰 
针对氮化硅表面制作的剥离胶膜底切宽度不稳定的问题,采用碱溶液处理SiNx表面,研究SiNx表面状态与剥离胶膜底切宽度的关系。结果表明SiNx表面处理后,胶膜底切宽度稳定性得到显著提高,绝对变化量1.8μm减小到0.2μm,相对变化量从177.2%...
关键词：SINX 底切宽度 表面处理 稳定性 剥离 
三类y=f(sinx,cosx)型函数值域问题的解法
《语数外学习（高中版）（下）》2021年第8期44-44,共1页曲显明 
在解答三角函数问题时,我们经常会碰见y=f(sinx,cosx)型函数问题.此类问题较为复杂,由于函数的名称不统一,我们往往需借助重要三角函数关系式sin^(2)x+cos^(2)x=1、tanx=sinx/cosx以及辅助角公式等来解题.
关键词：辅助角公式 三角函数 型函数 
栅极面积和ESD结构对AlGaN/GaN MIS-HEMTs中LPCVD-SiNx栅介质TDDB特性的影响
《固体电子学研究与进展》2021年第3期229-234,共6页戚永乐 王登贵 周建军 张凯 孔岑 孔月婵 于宏宇 陈堂胜 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402800,2017YFB0402802)。
基于CMOS兼容性GaN工艺,研制出具有低压化学气相沉积SiNx栅介质的硅基AlGaN/GaN异质结金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)器件。通过威布尔统计分析,研究了栅介质面积和静电释放(ESD)结构对SiNx的经时击穿(TDDB)特性的影...
关键词：氮化镓金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管 栅介质 静电释放结构 经时击穿 
“三角恒等变换”问题的思考之路
《新世纪智能》2021年第18期15-17,共3页三巨木 
思考历程所求结果是和角的正弦,如果将其化简:sin(2x+π/3)=sin2xcosπ/3+cos2xsinπ/3,你有何想法?再联系条件是否看出,只要求出sinx,cosx的值,问题就解决了.自然地,我们可以考虑将条件中的差角的余弦展开:√2/2cosx+√2/2sinx=√2/10,...
关键词：三角恒等变换 cos2 SINX 
全介质硅基微腔结构的模拟与实验研究
《南京大学学报（自然科学版）》2020年第5期737-743,共7页王朝晔 侯国智 李伟 徐骏 陈坤基 
国家自然科学基金(61735008)。
硅基微腔结构在许多光学与光电子器件领域都有重要的应用.针对微腔结构在热光伏系统中的可能应用,结合理论与实验进行了研究.通过利用等离子体增强化学气相沉积技术制备了非晶氮化硅与氮氧化硅薄膜,获得相应的光学常数,然后利用软件模...
关键词：SiNx/SiNyOz多层膜 F-P腔滤波器 光学微腔 时域有限差分法 
Evaluation of stress voltage on off-state time-dependent breakdown for GaN MIS-HEMT with SiNx gate dielectric被引量：1
《Chinese Physics B》2020年第10期444-450,共7页Tao-Tao Que Ya-Wen Zhao Qiu-Ling Qiu Liu-An Li Liang He Jin-Wei Zhang Chen-Liang Feng Zhen-Xing Liu Qian-Shu Wu Jia Chen Cheng-Lang Li Qi Zhang Yun-Liang Rao Zhi-Yuan He Yang Liu 
Project supported by the National Key Research and Development Program,China(Grant No.2017YFB0402800);the Key Research and Development Program of Guangdong Province,China(Grant Nos.2019B010128002 and 2020B010173001);the National Natural Science Foundation of China(Grant No.U1601210);the Natural Science Foundation of Guangdong Province,China(Grant No.2015A030312011);the Open Project of Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology(Grant No.202006);the Science and Technology Plan of Guangdong Province,China(Grant No.2017B010112002);the China Postdoctoral Science Foundation(Grant No.2019M663233).
Stress voltages on time-dependent breakdown characteristics of GaN MIS-HEMTs during negative gate bias stress (with VGS < 0, VD = VS = 0) and off-state stress (VG < VTh, VDS > 0, VS = 0) are investigated. For negative...
关键词：gallium nitride LPCVD-SiNx MIS-HEMT time-dependent breakdown negative gate bias offstate stress 
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