SiNx表面修饰在剥离技术中的应用  

作　　者：刘海军 张靖[1] 莫才平[1] 段利华[1] 闫应星 黄晓峰[1] 

机构地区：[1]重庆光电技术研究所,重庆400060

出　　处：《信息记录材料》2022年第7期58-61,共4页Information Recording Materials

摘　　要：针对氮化硅表面制作的剥离胶膜底切宽度不稳定的问题,采用碱溶液处理SiNx表面,研究SiNx表面状态与剥离胶膜底切宽度的关系。结果表明SiNx表面处理后,胶膜底切宽度稳定性得到显著提高,绝对变化量1.8μm减小到0.2μm,相对变化量从177.2%降低到15.2%,制备出较好的剥离胶膜形貌,解决了InGaAs芯片批产过程中出现的电极图形剥离效果不稳定的问题。

关 键 词：SINX 底切宽度 表面处理 稳定性 剥离 

分 类 号：TQ17[化学工程—硅酸盐工业]