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作 者:侯晓远[1]
机构地区:[1]复旦大学物理学系,上海200433
出 处:《光学与光电技术》2017年第6期1-4,共4页Optics & Optoelectronic Technology
摘 要:Ⅰ-Ⅴ曲线是最基本也是最重要的表征太阳能电池性能的方法。而在有机小分子器件中,各个界面的物理过程发挥至关重要的作用。因此,着重研究界面物理过程对于Ⅰ-Ⅴ曲线的影响。在实验中证实了S形Ⅰ-Ⅴ曲线来自于ITO/有机界面的衰减,并且提出了一个改良的器件等效电路模型。进一步地,在ITO/有机界面处插入MoO_x层会显著地抑制界面势垒的产生,避免了S形Ⅰ-Ⅴ曲线的出现,从而极大地延长了器件的寿命。还发现给体材料CuPc与受体材料C_(60)中激子产生的光电流对负向偏压的响应完全不同,通过实验提出了在C_(60)层中三态激子-电子相互作用是导致这个现象的主要物理机制。I-V curve is the most important method to describe solar cells. Physical processes at the interfaces play a key role in small organic molecules devices. Therefore we focus on the influence of interracial processes on the I-V curve. It has been confirmed that the degradation of lTO/organic interface is the main reason for the appearance of S-shape I-V curve. An improved equivalent circuit model has been proposed. Insertion of MoOx layer can avoid the appearance of the S-shape I-V curve and thereby greatly extend the lifetime of the device. The dependence of the photocurrent originating from the excitons in the CuPc or C40 layer is quite different. It has been suggested that the triplet exciton-electron interaction in C60 layer is the main reason of this phenomenon.
关 键 词:有机太阳能电池 激子 界面修饰 衰减 Ⅰ-Ⅴ曲线
分 类 号:TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]
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