应变超晶格

作品数：62被引量：102H指数：4
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InAs/ GaSb应变超晶格红外调制光谱研究被引量：2
《红外》2019年第2期14-18,共5页申晨 折伟林 李乾 邢伟荣 晋舜国 刘铭 
在用步进扫描傅里叶变换红外(Fourier Transform Infrared, FTIR)调制光致发光(Photoluminescence, PL)光谱仪进行测试时,基于FTIR的优势,并结合PL无损、灵敏度高、简单的优点,通过减弱背景干扰来提高信号强度。研究了背景噪声、杂质能...
关键词：InAs/GaSb应变超晶格材料 光致发光光谱 截止波长 分子束外延 
应变超晶格中粒子运动的混沌不稳定性被引量：1
《半导体光电》2018年第3期381-384,共4页王娜 罗诗裕 
利用Fourier展开,将应变超晶格中的粒子运动问题转化为多频激励的摆方程问题。用Melnikov方法和Lyapunov方法讨论了系统的稳定性,并对双频激励和单频激励进行了具体分析。结果表明,多频激励系统可通过奇阶次谐分叉进入混沌;当阻尼系数...
关键词：应变超晶格 多频激励 MELNIKOV方法 LYAPUNOV指数 稳定性 
混合激励与应变超晶格系统沟道运动的临界特征
《半导体光电》2015年第3期431-434,共4页杨杰 
从势和场的观点出发讨论了带电粒子在应变超晶格中的运动行为。在经典力学框架内和偶极近似下,引入正弦平方势,把粒子运动方程化为具有阻尼项和混合激励项的广义摆方程。利用Melnikov方法讨论了系统的临界性质与混沌行为。结果表明,系...
关键词：应变超晶格 沟道效应 混合激励 混沌 
准周期激励与应变超晶格的动力学稳定性被引量：12
《物理学报》2013年第24期288-293,共6页罗晓华 何为 吴木营 罗诗裕 
假设超晶格锯齿形沟道对粒子的作用等效为形状相似的周期场作用.在经典力学框架内,引入正弦平方势,把粒子运动方程化为具有阻尼项和双频激励项的摆方程.用Melnikov方法对单频激励系统的分叉与混沌进行分析;用Lyapunov方法对双频激励系...
关键词：超晶格 准周期激励 混沌 稳定性 
双频激励与应变超晶格的倍频共振被引量：2
《半导体光电》2013年第3期441-444,共4页李秀平 王善进 陈琼 罗诗裕 
假设超晶格锯齿形沟道对粒子的作用等效为形状相似的周期场作用,在经典力学框架内和小振幅近似下,利用正弦平方势,把粒子运动方程化为了具有双频激励的Duffing方程。由于三阶非线性,系统出现了主共振、次共振和组合共振等。用摄动法分...
关键词：超晶格 沟道效应 共振 摄动法 稳定性 
类W-势阱与应变超晶格量子阱的带间跃迁被引量：1
《半导体光电》2013年第3期448-451,共4页黎志雄 罗诗裕 
假设量子阱是类W-势阱,应变效应表现为势阱底部出现了类抛物线鼓包。在量子力学框架下,讨论了应变效应对输出波长的影响。结果表明,在应变作用下,量子阱出现了能级分裂,正是这种分裂为高性能量子阱光学器件的研制提供了更大的设计空间,...
关键词：量子阱 应变效应 能级分裂 类W-势阱 
应变超晶格中的内建电场
《内蒙古师范大学学报（自然科学汉文版）》2012年第5期502-506,共5页刘宏伟 哈斯花 
内蒙古自治区自然科学博士基金(2010BS0102);内蒙古工业大学科学研究项目(ZD201014)
研究了应变超晶格结构中内建电场对超晶格量子阱结构的影响.通过建模及计算给出由内建电场引起的量子阱斜率的定量描述,在不同组分及相同组分不同含量的超晶格中,讨论了描述势阱倾斜程度的斜率随势阱材料宽度的变化关系.结果表明,超晶...
关键词：超晶格 内建电场 量子阱斜率 
应变超晶格系统的共振行为及其动力学稳定性被引量：7
《物理学报》2010年第8期5766-5771,共6页罗诗裕 李洪涛 吴木营 王善进 凌东雄 张伟风 邵明珠 
广东省自然科学基金(批准号:8151170003000010)资助的课题~~
在经典力学框架内和Seeger方程基础上,讨论了应变超晶格界面附近的位错动力学行为,指出了系统的非线性共振将导致位错的运动与堆积,并可能造成超晶格的分层或断裂.首先,引入阻尼项,在小振幅近似下,把描述一般位错运动的Seeger方程化为...
关键词：位错动力学 应变超晶格 共振 分岔 
正弦平方势与应变超晶格位错动力学被引量：43
《中国科学：物理学、力学、天文学》2010年第2期207-212,共6页罗诗裕 邵明珠 罗晓华 
广东省自然科学基金资助项目(编号:9151065005000008)
引入正弦平方势描述了应变超晶格系统的弹性势能,并在经典力学框架内和Seeger方程基础上,讨论了超晶格界面附近的位错动力学行为,指出了系统的分叉或混沌将导致位错的运动与堆积,造成超晶格的分层或断裂.首先,引入阻尼项,在小振幅近似下...
关键词：位错动力学 稳定性 超晶格 分叉 混沌 
GaAs衬底上InP的直接外延生长及性能表征
《光电子技术》2009年第2期122-124,共3页熊德平 周守利 
用低压金属有机物气相外延(LP-MOCVD)技术,采用低温缓冲层生长法,在GaAs(100)衬底上直接生长了高质量的InP外延层。1.2μm InP(004)面X射线衍射(XRD)ω-2θ和ω扫描半高全宽(FWHM)分别为373 arcsec和455 arcsec,在外延层中插入10周期Ga0...
关键词：异质外延 低温缓冲层 应变超晶格 金属有机物气相外延 
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