沟道效应

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短沟道效应出现时InAlN/GaN HEMTs的内部电子分布
《科技风》2025年第11期43-46,共4页韩铁成 彭晓灿 
北华航天工业学院博士基金(BKY-2021-16)。
凭借二维器件仿真,从器件内部电子分布角度,直观且系统地展示了InAlN/GaN高电子迁移率晶体管直流特性上短沟道效应的发生。结果显示栅长(L_(G))缩短会减小栅极对栅下的电导率调控范围,同时由V_(DS)产生的源漏电场(E_(DS))一定程度上会...
关键词：InAlN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMTs) 短沟道效应 直流特性 仿真 
基于多维优化策略的28nm节点MOSFET短沟道效应抑制研究
《信息记录材料》2025年第3期42-45,共4页邱雨辰 张乔峰 蒋本福 潘欣欣 
珠海科技学院线下一流课程项目(ZLGC20220106);珠海科技学院专业负责人培养项目。
本研究提出一种基于多维优化策略的28 nm节点金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)短沟道效应抑制方法。通过计算机辅助设计仿真和机器学习辅助分析,系统研究栅氧化层材料、厚度、...
关键词：多维优化策略 短沟道效应 漏致势垒降低效应 亚阈值摆幅 栅介质层 机器学习 
关于“模拟电路”教学中几点问题的讨论
《电气电子教学学报》2025年第1期124-127,共4页余辉洋 朱晓梅 李义丰 金晶 
国家自然科学基金青年基金(62104105);南京工业大学本科课程思政示范课程建设项目(南工校教[2023] 4号)。
针对“模拟电路”课程中的三个知识点展开讨论,诣在加深学生对相关内容的理解。首先,引导学生从叠加定理的角度去理解放大电路的直流通路和交流通路的演化过程以及交直流输出与电路实际输出的关系。其次,提出通过构建等效电路的方法来...
关键词：放大器 叠加定理 等效电路 短沟道效应 
渐变组分背势垒GaN HEMT器件特性研究
《微波学报》2025年第1期26-31,共6页张瑞浩 万发雨 徐儒 徐佳闰 李月华 宋润陶 
国家重点研发计划(2022YFE0122700)。
高频氮化镓微波功率器件的短沟道效应是限制其射频性能的重要原因,通常采用背势垒结构来提高二维电子气的限域性,抑制短沟道效应。然而背势垒层的加入会增加寄生电阻与栅极电容,使电流增益截止频率f_(t)与最大震荡频率f_(max)降低。因此...
关键词：氮化镓基高电子迁移率晶体管器件 渐变组分背势垒结构 短沟道效应 二维电子气限域性 
Ar17+离子掠射钨靶表面的沟道效应研究
《现代应用物理》2024年第6期110-121,共12页谢尊 罗先文 
广西科技计划资助项目(桂科AD20238068);国家自然科学基金资助项目(11405166);桂林理工大学研究基金资助项目(GUTQDJJ 2019177)。
利用蒙特卡罗模拟方法探究了离子掠射钨晶体表面时的轴向和平面沟道效应。选择Ar^(17+)离子作为入射离子,重点关注离子在W(111)面掠射时沿着不同方位角的轨迹、阻止本领及能损谱之间的联系。研究发现,当Ar^(17+)离子沿着面沟道掠射时,...
关键词：轴沟道效应 面沟道效应 电子密度 阻止本领 掠角散射 
VESTA软件在集成电路工艺原理教学中的应用
《集成电路应用》2024年第10期52-54,共3页祁洋洋 毕金莲 王芳 张楷亮 杨正春 
天津市普通高等学校本科教学质量与教学改革研究计划项目(重点项目)(A231006004);天津理工大学教学基金项目(重点项目)(ZD23-06)
阐述绝大部分集成电路芯片的衬底材料是晶体硅,掌握硅晶体结构的特点是学习集成电路工艺原理的基础。通过列举硅的晶体结构、原子面密度、离子注入工艺的沟道效应等实例,说明VESTA软件在集成电路工艺原理教学中的应用,并探讨VESTA软件...
关键词：集成电路制造 VESTA软件 集成电路工艺原理 晶体结构 沟道效应 
集成侧墙技术的80nm栅GaN HEMT
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第9期1044-1050,共7页孔欣 
目前业界主要采用电子束曝光技术制作高频氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的深亚微米T型栅,存在效率低下、良率不足和成本较高的问题。本文采用集成侧墙技术,在6英寸工业化产线上首次成功制造了纯光学曝光的80 nm T型栅GaN HEMT,并...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 光学栅 侧墙 短沟道效应 深亚微米 
二维钙钛矿氧化物光敏高κ电介质
《科学通报》2024年第21期3067-3069,共3页李思远 刘欣亚 方晓生 
数十年来,芯片技术的发展推动着芯片晶体管的尺寸持续缩小,传统硅基晶体管正在接近其物理极限,晶体管尺寸的进一步缩小伴随着一系列重大挑战.二维半导体材料具有原子级厚度和独特的物理化学性质,有望避免短沟道效应,是光电子器件微型化...
关键词：光电子器件 短沟道效应 原子级 钙钛矿氧化物 物理极限 电介质 晶体管 物理化学性质 
渐变沟道全耗尽SOI MOSFET漏致势垒降低效应研究
《宝鸡文理学院学报（自然科学版）》2024年第2期57-60,66,共5页张冰哲 辛艳辉 
国家自然科学基金项目(U2241221)。
目的 集SOI MOSFET(绝缘衬底上的硅金属氧化物半导体场效应晶体管)器件结构与渐变沟道的优点于一体,提出渐变沟道全耗尽SOI MOSFET器件结构,以提高MOSFET器件的微观物理性能。方法 分别列出沟道不同掺杂浓度的2个区域的泊松方程并求解,...
关键词：渐变沟道 金属氧化物半导体场效应晶体管 漏致势垒降低 短沟道效应 
15 nm Bulk nFinFET器件性能研究及参数优化
《强激光与粒子束》2024年第3期92-99,共8页侯天昊 范杰清 赵强 张芳 郝建红 董志伟 
为研究Bulk FinFET工作时基本结构参数、器件温度和栅极材料对其性能的影响,建立了一个15 nm n型Bulk FinFET器件模型,仿真分析了不同栅长、鳍宽、鳍高、沟道掺杂浓度、器件工作温度、栅极材料对器件性能的影响,发现增长栅长、降低鳍宽...
关键词：Bulk FinFET 短沟道效应 器件性能 参数优化 栅极材料 
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