深亚微米

作品数：575被引量：609H指数：8
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一款全定制深亚微米抗辐照LDO的版图设计
《固体电子学研究与进展》2024年第5期445-449,460,共6页邹文英 张宇涵 李小强 杨沛 
为了提高低压差线性稳压器(Low dropout regulator,LDO)在辐射环境下的功能稳定性,本文提出了一种适用于深亚微米LDO的抗辐照版图加固技术。通过使用大头条形栅和P+保护环等结构,并结合工艺加固和版图设计技术来提高电路的抗辐照性能。...
关键词：低压差线性稳压器 大头条形栅 P+保护环 版图设计技术 辐射效应 
集成侧墙技术的80nm栅GaN HEMT
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第9期1044-1050,共7页孔欣 
目前业界主要采用电子束曝光技术制作高频氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的深亚微米T型栅,存在效率低下、良率不足和成本较高的问题。本文采用集成侧墙技术,在6英寸工业化产线上首次成功制造了纯光学曝光的80 nm T型栅GaN HEMT,并...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 光学栅 侧墙 短沟道效应 深亚微米 
深亚微米SOI工艺高压ESD器件防护设计被引量：1
《电子与封装》2023年第9期45-49,共5页朱琪 黄登华 陈彦杰 刘芸含 常红 
江苏省博士后科研资助计划(2019K117);江苏省青年基金(BK20200167)。
绝缘体上硅(SOI)工艺具有隔离面积小、隔离性能良好等特点,在功率半导体领域已被广泛采用。基于深亚微米SOI工艺技术节点和100V以上高压器件的特性,高压静电放电(ESD)器件稳健性弱的问题已成为ESD防护设计的技术难点之一,高压ESD防护器...
关键词：高压ESD器件 绝缘体上硅工艺 开放式基极堆叠三极管 
深亚微米工艺低温阈值电压解析模型研究
《核电子学与探测技术》2023年第1期151-157,共7页刘海峰 何高魁 刘洋 郝晓勇 宛玉晴 田华阳 
中核集团青年英才资助项目(FY202307000404);中国原子能科学研究院稳定支持资助项目(WDJC-2019-08)
现有仿真模型的温度适用范围在223~423 K,无法满足低温设计需求,且目前公开报道的低温CMOS工艺物理建模研究成果中模型不解析。为了在低温下高纯锗探测器近端集成CMOS读出电路,实现高分辨率的核探测技术,着重从阈值电压温度效应物理机...
关键词：低温 0.18μm CMOS工艺 阈值电压 解析模型 
基于28 nm工艺的SOC芯片时钟树优化
《机械工程与技术》2022年第5期507-513,共7页侯宇 王爽 
针对SOC芯片设计中时钟树的综合效率和时序收敛问题,提出一种高效的时钟树综合方法,特别适用于现代先进深亚微米工艺中高度集成和高复杂度的设计。传统的时钟树综合方法,通过从下到上采用分步综合的方法进行了改进。该设计方法在基于台...
关键词：CPU芯片 综合效率 时钟树 芯片面积 深亚微米工艺 高度集成 复杂度 
一款深亚微米抗辐照芯片的设计与实现被引量：1
《电子与封装》2022年第7期34-37,共4页邹文英 高丽 谢雨蒙 周昕杰 郭刚 
设计了一款适用于航空航天领域的深亚微米抗辐照四路串口收发电路,重点介绍了逻辑设计、后端设计和抗辐照加固设计。电路采用0.18μm CMOS工艺加工,使用工艺加固、单元加固及电路设计加固等多层次加固技术,有效地提高了电路的抗辐照能力。
关键词：收发器 深亚微米 抗辐照加固 
SOC设计中一种提取翻转率用于IR-drop分析的方法
《中国集成电路》2021年第7期27-29,共3页欧阳邦见 
0引言在高性能的SOC(System On Chip)芯片设计中,需要将IR-drop(电压降)控制在很小的范围内,否则,在深亚微米下如果power network做得不够好,就会出现芯片不能工作或者工作不正常的情况。在芯片设计的pre-layout(预布局)阶段,芯片设计...
关键词：芯片设计 电压降 深亚微米 SOC设计 翻转率 
深亚微米SOI工艺ESD防护器件设计被引量：2
《电子与封装》2021年第5期56-62,共7页米丹 周昕杰 周晓彬 何正辉 卢嘉昊 
在集成电路设计领域,绝缘体上硅(SOI)工艺以其较小的寄生效应、更快的速度,得到广泛应用。但由于SOI工艺器件的结构特点及自加热效应(SHE)的影响,其静电放电(ESD)防护器件设计成为一大技术难点。当工艺进入深亚微米技术节点,基于部分耗...
关键词：深亚微米 SOI工艺 自加热效应 ESD防护器件 栅控二极管 
基于130nm SOI工艺数字ASIC ESD防护设计被引量：3
《半导体技术》2021年第4期279-285,共7页米丹 周昕杰 周晓彬 
绝缘体上硅(SOI)工艺具有寄生电容小、速度快和抗闩锁等优点,成为低功耗和高性能集成电路(IC)的首选。但SOI工艺IC更易受自加热效应(SHE)的影响,因此静电放电(ESD)防护设计成为一大技术难点。设计了一款基于130 nm部分耗尽型SOI(PD-SOI...
关键词：深亚微米 绝缘体上硅(SOI)工艺 全芯片 静电放电(ESD)防护 电源钳位 人体模型 
深亚微米CMOS管总剂量辐照特性的对比研究被引量：2
《微电子学》2021年第1期121-125,共5页仲崇慧 于晓权 
对深亚微米NMOS和PMOS管进行了^(60)Coγ总剂量辐射实验。实验结果表明,PMOS管在转移特性、噪声、匹配特性方面比NMOS管的抗辐照能力更强。对NMOS管和PMOS管的辐照损伤机理进行了理论分析。分析结果表明,不同的衬底类型导致了PMOS管和N...
关键词：辐照损伤 总剂量 噪声 匹配特性 抗辐射设计 
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