SOC设计中一种提取翻转率用于IR-drop分析的方法  

作　　者：欧阳邦见 

机构地区：[1]黑芝麻智能科技(上海)有限公司

出　　处：《中国集成电路》2021年第7期27-29,共3页China lntegrated Circuit

摘　　要：0引言在高性能的SOC(System On Chip)芯片设计中,需要将IR-drop(电压降)控制在很小的范围内,否则,在深亚微米下如果power network做得不够好,就会出现芯片不能工作或者工作不正常的情况。在芯片设计的pre-layout(预布局)阶段,芯片设计后端组会对芯片的PG(Power and Ground)网络进行初步评估,以了解芯片内部各个模块等效为电阻或者电阻、电容、电感网络之后的IR-drop,从而指导后续的电源地网络设计,进而保证IR-drop的合理性。

关 键 词：芯片设计 电压降 深亚微米 SOC设计 翻转率 

分 类 号：TN47[电子电信—微电子学与固体电子学]