孔欣

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供职机构：中国电子科技集团第二十九研究所更多>>
发文主题：刻蚀封装射频芯片封装结构硅铝合金更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
发文期刊：《太赫兹科学与电子信息学报》《电子与封装》《微纳电子技术》《电子工艺技术》更多>>
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国产6英寸SiC基GaN HEMT研制
《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第4期322-330,共9页孔欣 汪昌思 
近年来,国产6英寸SiC基氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)研制取得明显进展。本文研究了多层介质应力调制技术和高一致性背孔刻蚀技术,并应用于6英寸工艺整合。在48 V工作时,0.5μm工艺在3.5 GHz输出功率密度达8.6 W/mm,功率增益达15 ...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 6英寸 国产衬底 国产外延 工艺技术 良率 
6英寸SiC基GaN HEMT背孔刻蚀技术研究
《微纳电子技术》2024年第12期163-170,共8页孔欣 
6英寸(1英寸=2.54 cm)SiC基GaN晶圆减薄后翘曲和总厚度变化(TTV)较大,给背孔刻蚀工艺带来了极大的挑战。以SF6和O2为刻蚀气体,通过研究气体流量及流量配比、腔体压力、感应耦合等离子体(ICP)功率、偏置功率等参数对SiC刻蚀速率和SiC对Ga...
关键词：碳化硅 氮化镓 背孔 两段式刻蚀 刻蚀速率 选择比 可靠性 
集成侧墙技术的80nm栅GaN HEMT
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第9期1044-1050,共7页孔欣 
目前业界主要采用电子束曝光技术制作高频氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的深亚微米T型栅,存在效率低下、良率不足和成本较高的问题。本文采用集成侧墙技术,在6英寸工业化产线上首次成功制造了纯光学曝光的80 nm T型栅GaN HEMT,并...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 光学栅 侧墙 短沟道效应 深亚微米 
不同厚度GaAs通孔技术研究
《电子与封装》2021年第11期48-52,共5页闫未霞 彭挺 郭盼盼 强欢 莫中友 孔欣 
研究了不同厚度GaAs的通孔工艺,在以GaAs为衬底的加工工艺中,通孔工艺是GaAs的重要工艺,直接影响着器件的性能。阐述了目前GaAs厚度为100μm的工艺情况,分析了GaAs厚度为150μm时的深孔刻蚀。通过对刻蚀工艺中不同压强和不同偏置功率的...
关键词：砷化镓 厚度 深孔刻蚀 偏置功率 
背面通孔工艺对砷化镓滤波器性能的影响
《电子工艺技术》2021年第2期70-73,共4页彭挺 闫未霞 郭盼盼 强欢 莫中友 陈超 王世伟 孔欣 
滤波器作为微波系统中的无源器件,在现代电子通信中具有非常重要的应用。采用砷化镓无源器件集成工艺制作了滤波器,在制作工艺中重点研究了背面通孔工艺对滤波器性能的影响。首先讲述了IPD工艺,然后通过分析背面通孔不同位置的侧向蚀刻...
关键词：砷化镓 滤波器 背面通孔 侧向蚀刻 
GaN HEMT栅工艺优化及性能提升被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2020年第2期318-324,共7页孔欣 陈勇波 董若岩 刘安 汪昌思 
针对0.5μm氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)自对准T型栅工艺,提出一种优化的解决方案。在感应耦合等离子体设备中引入两段法完成氮化硅栅足的干法刻蚀,其中,主刻蚀部分形成具备一定倾斜角度的氮化硅斜面,从而减小栅下沟道电场强度...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 栅工艺 电感耦合等离子体刻蚀 性能提升 可靠性 
一种HEMT器件可缩放的非线性紧凑模型
《太赫兹科学与电子信息学报》2019年第1期162-168,共7页陈勇波 刘文 汪昌思 孔欣 赵佐 
提供了一种应用于高电子迁移率晶体管(HEMT)的非线性紧凑模型。该模型针对传统的EE-HEMT模型理想缩放规律不准确的问题,提出采用一元函数拟合、二元曲面拟合方法,对其尺寸缩放和温度缩放规律进行修正。修正后的非线性模型可以准确地模拟...
关键词：EE-HEMT模型 高电子迁移率晶体管 非线性模型 紧凑模型 
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