柯练

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供职机构:长沙电力学院物理与信息工程系物理系更多>>
发文主题:ZNSEZN光致发光谱应变层超晶格CD更多>>
发文领域:电子电信更多>>
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应变层超晶格Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)光致发光谱
《Journal of Semiconductors》1998年第11期818-823,共6页史向华 柯练 靳彩霞 魏彦峰 凌震 俞根才 王杰 
国家自然科学基金
本文报道了分子束外延生长的应变层超晶格Zn0.77Cd0.23Se/ZnSe和ZnSe/ZnS0.12Se0.88的光致发光谱.分析了影响激子线型展宽的主要因素.定量表征了4.4K下合金涨落和阱厚涨落对线型展宽的贡献...
关键词:应变层超晶格 光致发光谱 外延生长 半导体生长 
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