半导体薄膜

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过渡金属(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)掺杂GeSe的高温铁磁半导体薄膜
《Science China Materials》2024年第1期279-288,共10页李德仁 张析 何文杰 彭勇 向钢 
supported by the National Natural Science Foundation of China (52172272)。
具有高温铁磁性的IV族金属硫族化物磁性半导体薄膜是半导体自旋电子器件所需要的重要材料.本文采用固体源化学气相沉积法制备了一系列过渡金属元素(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni)掺杂GeSe的多晶半导体薄膜样品.磁性测量表明,Mn,Fe和Co掺杂的GeS...
关键词：半导体薄膜 多晶薄膜 化学气相沉积法 过渡金属元素 过渡金属掺杂 铁磁半导体 空穴浓度 磁性测量 
银纳米粒子修饰半导体薄膜SERS基底的仿真研究
《分析试验室》2024年第1期79-85,共7页鲍士仟 李东明 马成举 张跃斌 李咪 金嘉升 张垚 张贻歆 刘洺 刘芊震 
陕西省重点研发计划项目(2018GY-062);西安石油大学创新与实践能力培养项目(YCS22111034)资助。
设计了一种银纳米粒子(Ag NPs)修饰的半导体薄膜锗(Ge)表面增强拉曼散射(SERS)基底。利用时域有限差分(FDTD)方法仿真分析了该SERS基底的消光光谱、局域电场和SERS特性,考察了Ag NPs半径和Ge薄膜厚度对SERS基底拉曼散射信号增强的影响...
关键词：银纳米粒子 半导体 时域有限差分法 局域电场 增强因子 
基于稀疏成像的半导体薄膜材料界面缺陷检测
《计算机仿真》2024年第1期197-200,226,共5页李聪 谭明 刘小标 李辉 
国家自然科学基金(22005087)。
复杂背景下检测半导体薄膜材料界面微小缺陷具有一定的难度,为了精准检测半导体薄膜材料界面缺陷,提出一种稀疏成像下半导体薄膜材料界面缺陷检测方法。扫描采集半导体薄膜材料界面二维图像,对含有噪声的半导体薄膜材料界面实施小波分解...
关键词：稀疏成像 半导体 薄膜材料 界面缺陷检测 小波分解 
单源热蒸发制备阴离子比例可控的Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜用于高性能太阳能电池
《Science China Materials》2023年第9期3415-3423,共9页高金祥 车波 蔡慧玲 肖鹏 张立建 蔡志远 朱长飞 唐荣风 陈涛 
supported by the National Natural Science Foundation of China (22005293, U19A2092 and 22275180);the National Key Research and Development Program of China (2019YFA0405600);the Institute of Energy, Hefei Comprehensive National Science Center (21KZS212);the Collaborative Innovation Program of Hefei Science Center, CAS。
硒化锑(Sb_(2)(S,Se)_(3))因其高化学稳定性、绝佳光电特性和低成本等优势而成为一种有前途的光伏材料.在新兴的太阳能领域中,开发合适的材料加工方法控制元素比例,从而达到钝化Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜的深能级缺陷的目的,是基本需求也是...
关键词：太阳能电池 功率转换效率 光伏材料 热蒸发 高化学稳定性 半导体薄膜 金属硫化物 材料加工 
氢气传感器研究型实验教学设计被引量：1
《实验室研究与探索》2023年第9期211-214,共4页耿志挺 
清华大学实验室创新基金项目(53100990222)。
依托科研项目及清华大学实验室创新基金,开展了关于钯-银合金氢气传感器的制备及性能研究的实验教学。围绕钯-银合金薄膜的制备、微结构、表面形貌和电学性能表征,介绍了半导体薄膜研究型实验教学的内容和实施方法,激发了学生的科学研...
关键词：氢气传感器 钯-银合金 半导体薄膜 研究型实验 
CdSe薄膜的制备及其光学特性的研究进展
《材料化学前沿》2023年第2期33-40,共8页孙康迅 邱美叶 孔惠颖 郑照轩 王淼 熊佳怡 赵春杰 王婧 李再金 乔忠良 李林 徐东昕 曲轶 
本文主要介绍了CdSe薄膜的制备及其光学特性的国内外研究现状及进展。作为一种II-VI族化合物半导体薄膜,CdSe一直是国内外研究发展的热点。在CdSe薄膜的制备过程中,不同的制备方法都会对其性能有较大影响,因此有必要选择合适的制备方法...
关键词：CDSE薄膜 真空热蒸发 电化学方法 半导体薄膜 镀膜技术 光学特性 物理方法 真空度 
三元混晶薄膜的导波声子极化激元
《内蒙古大学学报（自然科学版）》2023年第3期243-250,共8页解佳 包锦 闫祖威 
国家自然科学基金(No.11664030,12164033);内蒙古自治区高等学校科学研究项目(NJZZ23036,NZJY21454)项目资助。
采用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合麦克斯韦方程组和边界条件,研究了局域于三元混晶薄膜内部的导波声子极化激元的色散关系和电场的空间分布,以及导波模的能量随三元混晶的组分和薄膜厚度的变化关系,并分析了导波模在实...
关键词：导波声子极化激元 三元混晶 半导体薄膜 
单层α-MoO_(3)半导体薄膜的范德瓦耳斯外延制备
《人工晶体学报》2023年第5期886-893,共8页韩钰 牛群 周琴 赵爱迪 
国家自然科学基金(22102101)。
α-MoO_(3)是一种典型的层状半导体过渡金属氧化物,其独特的电子结构和晶格结构使其近些年来被广泛研究。相比于体相α-MoO_(3),α-MoO_(3)薄膜因二维几何限制而具有优异的光学、电学和力学性质。然而,单层无缺陷的α-MoO_(3)薄膜的外...
关键词：α-MoO_(3) 薄膜 高定向热解石墨 范德瓦耳斯外延 半导体 表观能隙 
Cu、Sn掺杂的沟道型β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>半导体薄膜光电器件的制备及特性研究
《材料科学》2023年第3期200-212,共13页刘畅 刘俊 刘源 胡馨月 李旺 柳婕 李梦轲 
本文利用双靶射频磁控溅射技术,在不同实验条件下,开展了本征β-Ga2O3和Cu、Sn掺杂的沟道型β-Ga2O3半导体薄膜光电器件的制备及特性研究工作。分析了掺杂前后制备的二维β-Ga2O3薄膜的微结构、表面形貌及化学成份。比较了不同条件下制...
关键词：β-Ga2O3 掺杂 半导体器件 光电特性 
半导体薄膜表面粘附的非对称性偏压调控
《Acta Mechanica Sinica》2023年第3期1-6,共6页李保文 轩啸宇 殷艳 周建新 张助华 易敏 郭万林 
This work was supported by the National and Jiangsu Province Natural Science Foundation(Grant Nos.T2293691,T2293692,and BK20212008)of China;National Key Research and Development Program of China(Grant No.2019YFA0705400);China Postdoctoral Science Foundation(Grant No.2021M701703);Jiangsu Funding Program for Excellent postdoctoral talent(Grant No.2022ZB211),the Research Fund of State Key Laboratory of Mechanics and Control of Mechanical Structures(Grant No.MCMS-I-0422K01);the Fundamental Research Funds for the Central Universities(Grant No.NJ2022002);the Fund of Prospective Layout of Scientific Research for NUAA(Nanjing University of Aeronautics and Astronautics).
电调控表面粘附对微机电系统是至关重要的,同时相对于外加电压极性常具有对称性.本文以二硫化钼为研究对象,以石墨烯、氮化硼和n型硅为参照组展示半导体薄膜表面的非对称粘附行为.研究主要通过导电原子力显微镜和理论模拟来揭示金探针...
关键词：Surface adhesion Molybdenum disulfide Conductive atomic force microscope Schottky junction 
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