云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 铁磁半导体

铁磁半导体: 作品数：30被引量：17H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：理学电子电信更多>>; 相关作者：高本领谢征微陈洪李红马国宏更多>>; 相关机构：中国科学院中国科学院大学南京大学四川师范大学更多>>; 相关期刊：《盐城工学院学报（自然科学版）》《中国科学院大学学报（中英文）》《Science Bulletin》《物理学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金中国石油大学(华东)科研启动基金四川省教育厅自然科学科研项目国家教育部博士点基金更多>>

四面体超晶格中高温铁磁半导体的预测被引量：1: 《Science China Materials》2024年第4期1225-1230,共6页王亚奇孙华胜吴世海李盎万逸阚二军黄呈熙; supported by the Ministry of Science and Technology of the People’s Republic of China (2022YFA1402901);the National Natural Science Foundation of China (NSFC, T2125004, 12274227, and 12004183);the Fundamental Research Funds for the Central Universities (30921011214);the Funding of Nanjing University of Science & Technology (TSXK2022D002);support from the Tianjing Supercomputer Centre。; 铁磁(FM)半导体兼具半导体(如逻辑器件)和磁性材料(如记忆存储器)的优点,半个多世纪以来一直受到广泛关注.然而,铁磁半导体的发展受到候选材料稀缺以及居里温度低的阻碍.铁磁性通常在具有八面体配位的过渡金属化合物中被发现.而具有较...; 关键词：过渡金属化合物高居里温度自旋电子晶体场分裂超晶格逻辑器件八面体配位候选者

过渡金属(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)掺杂GeSe的高温铁磁半导体薄膜: 《Science China Materials》2024年第1期279-288,共10页李德仁张析何文杰彭勇向钢; supported by the National Natural Science Foundation of China (52172272)。; 具有高温铁磁性的IV族金属硫族化物磁性半导体薄膜是半导体自旋电子器件所需要的重要材料.本文采用固体源化学气相沉积法制备了一系列过渡金属元素(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni)掺杂GeSe的多晶半导体薄膜样品.磁性测量表明,Mn,Fe和Co掺杂的GeS...; 关键词：半导体薄膜多晶薄膜化学气相沉积法过渡金属元素过渡金属掺杂铁磁半导体空穴浓度磁性测量

二维铁磁半导体理论与实验进展被引量：1: 《科学通报》2023年第25期3385-3396,共12页屈紫阳黄呈熙阚二军; 国家自然科学基金(T2125004,12274227,12004183);南京理工大学自主科研项目(30921011214,30920041115)资助。; 大数据时代对海量电子信息的非易失性高效存储和处理的需求,催生了自旋电子学这门新兴学科.作为新型功能化自旋电子器件的核心构成材料,铁磁半导体因其独特的磁电特性而受到了广泛的关注.近年来,二维材料的发现更是为铁磁半导体的发展...; 关键词：自旋电子学铁磁半导体二维材料居里温度

准二维范德瓦耳斯本征铁磁半导体CrGeTe_(3)的THz光谱: 《物理学报》2022年第23期374-380,共7页王晨夏威索鹏王伟林贤郭艳峰马国宏; 国家自然科学基金(批准号:92150101,61735010);上海市科学技术委员会科技创新行动计划(批准号:21JC1402600)资助的课题.; 准二维范德瓦耳斯本征铁磁半导体CrGeTe_(3)兼具窄的半导体带隙和铁磁性质,在自旋电子学和光电子学等领域具有广阔的应用前景,近年来受到国内外研究人员的广泛关注.本文利用傅里叶红外光谱得到CrGeTe_(3)间接带隙的大小,并采用超快太赫...; 关键词：范德瓦耳斯铁磁半导体时间分辨光谱太赫兹光谱

对反铁磁半导体MoCl_(2)单层的理论预测: 《科学技术创新》2022年第2期21-24,共4页唐卉; 我们通过第一性原理计算研究了MoCl_(2)单分子层的几何形状、稳定性、电子和磁性特性,报告了它是一种稳定的反铁磁半导体。通过自旋极化态密度和能带结构计算,验证了MoCl_(2)单层是反铁磁半导体。声子色散和弹性模量计算表明,MoCl_(2)...; 关键词：MoCl_(2)单层反铁磁半导体应力

二维双金属铁磁半导体CrMoI_(6)的电子结构与稳定性: 《物理学报》2021年第20期249-256,共8页黄玉昊张贵涛王如倩陈乾王金兰; 国家自然科学基金(批准号:21973011);国家重点研发计划(批准号:2017YFA0403600)资助的课题。; 二维磁性半导体由于兼具磁性、半导体性和特殊的二维结构而受到人们的广泛关注,为纳米级自旋电子和光电子器件的研发应用和相关的基础理论研究提供了新的思路和平台.基于第一性原理计算,在对一系列二维双金属碘化物CrTMI_(6)的交换能进...; 关键词：二维材料磁性半导体居里温度磁各向异性

原子吸附的二维CrI_(3)铁磁半导体电学和磁学性质的第一性原理研究被引量：1: 《物理学报》2021年第11期254-263,共10页秦文静徐波孙宝珍刘刚; 国家自然科学基金(批准号:12064015);中国福建能源器件科学与技术创新实验室开放基金(批准号:21C-OP-202005)资助的课题。; 采用第一性原理的方法系统研究了碱(土)金属原子、过渡金属原子和非金属原子吸附的二维CrI_(3)单层的电学和磁学性质.结果表明,金属原子倾向于吸附在6个I原子形成的环中心并且与Cr原子处于同一高度,非金属原子吸附在I原子形成的环内,但...; 关键词：原子吸附第一性原理二维CrI_3单层电子结构和磁性质

单层VCl3和VBr3中相互作用导致的量子反常霍尔绝缘体到莫特绝缘体相变: 《中国科学院大学学报（中英文）》2020年第6期736-743,共8页徐永峰胜献雷郑庆荣; the National Natural Science Foundation of China(11574309,11504013)。; 基于第一性原理计算,发现在不考虑3d电子间关联作用的情况下,二维单层材料VCl3和VBr3是面内铁磁半导体,并且具有量子反常霍尔效应。VCl3能隙约为3.4 meV,VBr3没有全局的能隙。有趣的是,VCl3的陈数为3,有3个手性边缘态;VBr3的陈数为1,对...; 关键词：铁磁半导体大陈数 Mott绝缘体

准二维范德瓦耳斯磁性半导体CrSiTe3的THz光谱被引量：1: 《物理学报》2020年第20期96-104,共9页索鹏夏威张文杰朱晓青国家嘉傅吉波林贤郭艳峰马国宏; 准二维范德瓦耳斯磁性材料CrSiTe3同时具有本征磁性与半导体能带结构,在光电子学和纳米自旋电子学领域中具有广泛的应用,近年来吸引了广大科研工作者的兴趣.利用超快太赫兹光谱技术,本文对准二维范德瓦耳斯铁磁半导体CrSiTe3进行了系统...; 关键词：范德瓦耳斯铁磁半导体太赫兹光谱时间分辨光谱

铁磁金属/绝缘体/铁磁半导体/普通金属(FM/I/FS/NM)磁性隧道结中的隧穿磁电阻效应: 《四川师范大学学报（自然科学版）》2020年第2期230-235,共6页李双伶曾柏魁谢征微; 四川省教育厅自然科学基金重点项目(13ZA0149和16ZA0047)。; 在已有的单自旋过滤磁性隧道结铁磁金属/绝缘体/铁磁绝缘体/普通金属(FM/I/FI/NM)研究的基础上,将其中的铁磁绝缘层(FI)换为铁磁半导体层(FS),研究了铁磁金属/绝缘体/铁磁半导体/普通金属(FM/I/FS/NM)磁性隧道结中的隧穿磁电阻(TMR)现象...; 关键词：磁性隧道结铁磁半导体隧穿磁电阻 RASHBA自旋轨道耦合

铁磁半导体