反铁磁半导体

作品数：5被引量：1H指数：1
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相关期刊：《南京大学学报（自然科学版）》《科学技术创新》《盐城工学院学报（自然科学版）》《物理》更多>>
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对反铁磁半导体MoCl_(2)单层的理论预测
《科学技术创新》2022年第2期21-24,共4页唐卉 
我们通过第一性原理计算研究了MoCl_(2)单分子层的几何形状、稳定性、电子和磁性特性,报告了它是一种稳定的反铁磁半导体。通过自旋极化态密度和能带结构计算,验证了MoCl_(2)单层是反铁磁半导体。声子色散和弹性模量计算表明,MoCl_(2)...
关键词：MoCl_(2)单层 反铁磁半导体 应力 
插层三元铁硒超导体的电子结构和磁性质的理论研究被引量：1
《物理》2011年第8期527-534,共8页卢仲毅 闫循旺 高淼 向涛 
国家自然科学基金(批准号:10725419)资助项目
最近发现的插层三元铁硒超导体AyFexSe2(A=K,Rb,Cs和/或Tl)显示诸多新颖现象.为了澄清这些现象,作者分别计算了没有铁空位的基于完整四方FeSe层的AFe2Se2,含有四分之一铁空位的4×2或2×2超结构的AFe1.5Se2,以及含有五分之一铁空位的槡...
关键词：铁基超导体 反铁磁半金属 三元铁硒化合物 反铁磁半导体 电子结构计算 
半羟化的碳化硅片的第一性原理研究
《南京大学学报（自然科学版）》2011年第1期25-31,共7页高本领 王宝林 熊诗杰 
国家自然科学基金(10874052,60676056)
通过密度泛函理论,研究了碳化硅片被羟化时的电磁特性.所研究的碳化硅片为六角蜂窝状结构,碳硅原子之比为1∶1,相间排列.由于碳化硅片中含碳、硅两种元素;为此,分别考虑了全部的碳原子以及全部的硅原子分别被羟化的情形,结果发现了丰富...
关键词：密度泛函理论 羟化 反铁磁半导体 
半氟化的石墨片电子和磁特性
《盐城工学院学报（自然科学版）》2010年第4期5-8,共4页高本领 
国家自然科学基金资助项目(10874052)
通过密度泛函理论研究了半氟化石墨片的电子结构和磁性特点,结果发现它是带隙约为1.00 eV的反铁磁间接带隙半导体。由于氟原子对被氟化的碳原子的吸引作用,被氟化的碳原子与未氟化的碳原子分属于两个不同平面,面间距离达到0.286,C-C键...
关键词：密度泛函理论 半氟化 反铁磁半导体 
氟化碳化硅片的电子和磁性结构研究
《淮阴工学院学报》2010年第5期1-3,共3页高本领 
国家自然科学基金(10874052)
通过密度泛函理论研究了氟化碳化硅片的电子结构和磁性特点,碳化硅中的硅原子被氟化,结果发现氟化的碳化硅片是带隙约为1.04eV的反铁磁半导体。通过简单的氟化,实现了材料由无磁性向反铁磁的转变,调节了材料的带隙,这预示着在未来的纳...
关键词：密度泛函理论 氟化 反铁磁半导体 
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