Calculation of Radius of Curvature for Strained Layer Structure and Fabrication of Semiconductor Microtubes on GaAs Substrate  

作　　者：Murugesan Silambarasan Shanmugam Saravanan 

机构地区：[1]Centre for Photonics and Nanotechnology, Sona College of Technology, Salem-636005, Tamilnadu, India

出　　处：《材料科学与工程（中英文版）》2010年第10期20-23,共4页Journal of Materials Science and Engineering

关 键 词：理论计算值 半导体薄膜 曲率半径 结构组成 砷化镓 应变层 GAAS(001) 微管 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学] TM131.2[电气工程—电工理论与新技术]