AlxGa1—xAs的MOCVD生长和特性研究  

作　　者：莫金玑 倪杰 

出　　处：《科技通讯（上海）》1994年第3期14-17,共4页

关 键 词：砷化镓 掺杂 铝 异质结构材料 双异质结激光器 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]