双异质结激光器的Auger复合分析  

The Auger Compound Analysis of DH Laser

作　　者：夏瑞东[1] 常悦[1] 庄蔚华[1] 

机构地区：[1]首都师范大学物理系,中国科学院半导体所

出　　处：《电子学报》1995年第8期112-115,共4页Acta Electronica Sinica

摘　　要：本文通过对１．５５μｍ双异质结激光器中０．９５μｍ的高能发光峰的分析，证明了ＩｎＧａＡｓＰ有源区的Ａｕｇｅｒ复合是造成载流子向两侧ＩｎＰ限制层漏泄的主要原因，也是影响激光器Ｔ０值的主要因素。The experiment data about 0.95μm wavelength high energy lumionous peak in 1.55μm InGaAsp/InP laser are analyzed.The results prove that the Auger compound of InGaAsP active region is the major cause of carrier leakage toward the two sides of InP restricted layer.It is also the main factor of the low T0 of1.55μm InGaAsp/InP DH Laser.

关 键 词：双异质结激光器 漏泄 发光带 Auger复合 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]