云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 双异质结

双异质结: 作品数：132被引量：140H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：郝跃王晓亮王翠梅孙涛张进成更多>>; 相关机构：中国科学院西安电子科技大学电子科技大学北京工业大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金更多>>

Ag_(3)PO_(4)修饰AgBr纳米线/Ti_(3)C_(2)双异质结光催化剂降解罗丹明B: 《精细化工》2024年第11期2397-2404,共8页曾武军曾斌彭巧宁旭涛张明; 重庆市自然科学基金项目(cstc2021jcyj-msxmX0459)。; 以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板和溴源,通过添加Ti_(3)C_(2)MXene,使用共沉淀法制备了Ag_(3)PO_(4)修饰AgBr纳米线/Ti_(3)C_(2)双异质结光催化剂(Ag_(3)PO_(4)-AgBr NW/Ti_(3)C_(2)),采用SEM、TEM、XRD、XPS、紫外-可见漫反射光谱...; 关键词：双异质结光催化剂 Ti_(3)C_(2) 纳米线罗丹明B 功能材料

AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构双极特性的研究: 《北华航天工业学院学报》2024年第4期5-8,共4页韩铁成彭晓灿; 北华航天工业学院博士基金项目(BKY-2021-16)。; 通过一维薛定谔-泊松方程自洽仿真,研究了AlGaN缓冲层组分(0~0.08)和GaN沟道层(20,50和80nm)对AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构能带和载流子分布的影响。缓冲层Al组分的增加可有效抬高沟道层背部的势垒,从而提高2DEG的限域性。随着GaN沟道层...; 关键词：AlGaN/GaN/AlGaN 二维电子气 AlGaN缓冲层二维空穴气

MoTe_(2)/Ta_(2)NiSe_(5)/MoTe_(2)范德华双异质结实现超快、宽带和偏振敏感光电探测器: 《Science China Materials》2024年第7期2182-2192,共11页张洁莲黎思娜朱玲玉郑涛李翎邓群睿潘志东江美华杨亚妮林月蓉李京波霍能杰; supported by the National Natural Science Foundation of China(11904108);the“Pearl River Talent Recruitment Program”(2019ZT08X639);Guangdong Basic and Applied Basic Research Foundation(2024A1515030107).; 高效光电探测器在监控、热成像、光通信和环境监测等领域具有广泛、迫切的应用需求.优化光电探测器参数如微型化、高量子效率、超快响应速度等,仍然是一项艰巨的任务.我们提出了一种由顶部/底部MoTe_(2)和中间Ta_(2)NiSe_(5)层组成的双...; 关键词：polarimetric photodetector TazNiSes/MoTe_(2)het-erojunction PHOTOVOLTAIC polarization sensitivity

氧化锌/锡酸锌/二氧化锡双异质结纳米阵列的构建及其光电性能: 《硅酸盐学报》2024年第7期2308-2315,共8页周龙杰王航刘硕李丽华黄金亮; 高端外国专家项目(GDW2017410125)。; 高性能的电子传输传输层对提升钙钛矿太阳能电池的光电转化效率具有至关重要的作用。基于表面修饰的方法,采用旋涂法在ZnO纳米阵列上制备Zn_(2)SnO_(4)钝化层,再通过水热法原位自生长SnO_(2)构建出ZnO/Zn_(2)SnO_(4)/SnO_(2)双异质结纳...; 关键词：氧化锌/锡酸锌/二氧化锡双异质结载流子分离光电性能

GaN极性和Al组份对AlcGa1−cN/GaN双异质结IMPATTD性能的影响: 《温州大学学报（自然科学版）》2024年第2期37-48,共12页王渊; GaN基碰撞雪崩渡越时间二极管(IMPATTD)是前景光明的太赫兹波源,具有输出功率高、转换效率高、体积小、集成方便等优点.构建了GaN/AlcGa1-cN/GaN和AlcGa1-cN/GaN/AlcGa1-cN双异质结构(DHS)n+/n/i/p/p+型IMPATTD,通过求解半导体器件基本...; 关键词：AlcGa1-cN/GaN双异质结极性 IMPATT二极管

含GaN/AlGaN双异质结源极和半超结的增强型垂直HFET的静态特性: 《功能材料与器件学报》2023年第5期337-350,共14页汪子盛韦文生杨晨飞丁靖扬陈超逸杨锦天; 国家自然科学基金项目(No.62374116); GaN/AlGaN异质结垂直型场效应晶体管(HFET)可用作大功率开关等,但性能受限于击穿电压(V_(B))与比导通电阻(R_(on,sp))的折衷,值得深入研发。本文构建了一种包含GaN/Al_(x1(x2))Ga_(1-x1(x2))N双异质结源极和(n)GaN/(p_(1(2)))Al_(x3(x4)...; 关键词：增强型垂直HFET GaN/AlGaN双异质结源极 (n)GaN/(p)AlGaN叠层异质半超结

基于InP DHBT工艺的33~170 GHz共源共栅放大器被引量：1: 《红外与毫米波学报》2023年第2期197-200,共4页王伯武于伟华侯彦飞余芹孙岩程伟周明; Supported by National Natural Science Foundation of China(61771057)。; 基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测...; 关键词：磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT) 单片微波集成电路(MMIC) 共源共栅放大器宽带

高迁移率AlN/GaN/AlN双异质结材料生长及特性研究被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2023年第2期191-196,共6页罗伟科李忠辉李传皓杨乾坤李亮董逊彭大青张东国; 重点实验室基金资助项目(614280303012002);江苏省重点研发计划资助项目(SBE2020020137)。; 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)制备了高迁移率AlN/GaN/AlN双异质结材料,实验发现生长温度是影响异质结材料性能的关键,降低生长温度可以减少表面裂纹密度,同时减少界面AlGaN合金形成,提升二维电子气(2DEG)浓度。在1000℃采用脉冲...; 关键词：脉冲沉积双异质结二维电子气迁移率

基于新型半导体材料构建激光器的探索与研究: 《智能制造》2023年第3期100-102,107,共4页严建伟; 新型半导体材料构建激光器主要应用在工业科学技术、医学医疗、测控与通信工程、新型材料、传感器检测、光谱分析、信息载体处理、探测跟踪、激光制导、激光雷达和激光武器等领域,以高功率、高能量、高稳定性、高效转换、宽波段、超短...; 关键词：半导体激光器量子阱双异质结钙钛矿激子

InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管设计被引量：2: 《固体电子学研究与进展》2022年第3期184-190,219,共8页刘涛刘燚王冯涛; 云南省基础研究项目(210301004);国家级大学生创新创业训练重点项目(20200108Z)。; 应用半导体器件的电阻电容计算理论和SILVACO ATLAS软件,在综合考虑载流子渡越时间和电阻电容延迟时间对增益截止频率的影响下设计了一种InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)结构。该结构中在基区与发射区之间加入P...; 关键词：双异质结双极晶体管(DHBT) InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP 渐变材料梯度掺杂

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