云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 王仲明

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Fiber Coupling of Laser Diode Bar to M ultimode Fiber Array被引量：10: 《Journal of Semiconductors》2002年第5期464-467,共4页王晓薇肖建伟马骁宇王仲明方高瞻冯小明刘媛媛刘斌张敬明; A piece of multimode optical fiber with a low num er ical aperture (NA) is used as an inexpensive microlens to collimate the output r adiation of a laser diode bar in the high numerical aperture (NA) direction.The em...; 关键词：fiber coupling laser diode bar multimode fiber array fast axis

High Brightness,High Power Density Fiber Coupling of High Power Laser Diode: 《Journal of Semiconductors》2001年第9期1112-1115,共4页王晓薇肖建伟王仲明马骁宇刘宗顺方高瞻张敬明冯小明; The output radiation from the 100μm×1μm aperture of a high power Laser Diode (LD) is efficiently coupled into a 50μm multimode optical fiber.The fiber output of the high power LD with high brightness and high powe...; 关键词：high power LD double-curved lens fiber coupling high brightness high power density

反射率小于10^(-4)的1310nm光电子器件增透膜技术的研究被引量：8: 《光学学报》1999年第2期235-238,共4页谭满清茅冬生王仲明; 阐述了电子回旋共振等离子体化学气相沉积法淀积半导体器件端面光学膜的优良特性，介绍了淀积反射率小于１０－４的１３１０ｎｍ半导体激光器端面增透膜技术。; 关键词：等离子体半导体激光器增透膜 CVD 光电子器件

1．48μm掺饵光纤放大器泵源: 《高技术通讯》1996年第9期41-43,共3页彭怀德刘德钧阎莉王丽明张洪琴王仲明夏彩虹孙国喜; 863计划资助; 采用Ｐ型ＩｎＰ衬底新月型（ＰＢＣ）结构制备了１．４８μｍ大功率激光器，该激光器与单模光纤耦合输出功率大于４０ｍＷ。; 关键词：大功率激光器光纤光纤放大器泵源

1．48μm掺铒光纤放大器泵源: 《Journal of Semiconductors》1996年第9期651-654,共4页彭怀德刘德钧阎莉王丽明张洪琴王仲明夏彩虹孙国喜; 863高技术资助; 用Ｐ型ＩｎＰ衬底新月型（ＰＢＣ）结构制备１．４８μｍ大功率激光器，与单模光纤耦合输出功率大于４０ｍＷ．; 关键词：掺饵光纤放大器泵源放大器

低压MOCVD外延生长InGaAsP／InP应变量子阱材料与器件应用: 《Journal of Semiconductors》1996年第5期396-400,共5页马骁宇王树堂熊飞克郭良王仲明曾靖王丽明陈良惠; 国家"863"重大项目; 本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阶材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用．用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于４００Ａ...; 关键词：MOCVD 外延生长 INGAASP INP 应变量子阱材料

GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器的深能级荧光: 《Journal of Semiconductors》1981年第3期189-196,共8页王守武王仲明许继宗; 测量了垂直于结平面各空间位置的荧光光谱和某些特定波长的空间分布.实验结果表明在 n-GaAs衬底、n-GaAs缓冲层和 P-GaAs有源层都存在着峰值波长为 1.03 μm和 1.09μm的深能级辐射.这些辐射在热处理和小电流密度老化下有着不同的行为....; 关键词：GaAs-Ga 深能级电子能态双异质结激光器 x)Al_xAs 有源区光学薄膜器件干涉滤光片峰值波长 AL 弱光荧光

GaAs激光器几个物理量的测量: 《中国激光》1977年第4期15-24,共10页张敬明王仲明; GaAs激光器是在很大的电流密度下工作的,因此器件的串联电阻(体电阻和接触电阻)对器件的性能有很大影响。为了得到尽可能小的串联电阻,首先必须判定GaAs和金属电极之间的接触是否是欧姆接触,并测出器件串联电阻的数值。; 关键词：激光器异质结热阻受激发射串联电阻光激射器电子器件半导体结热传导激光发射 GAAS 肖特基势垒金属-半导体接触物理量

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