反射率小于10^(-4)的1310nm光电子器件增透膜技术的研究  

Antireflection Coatings of 1310 nm Opto Electronic Devices with R<10 -4

作　　者：谭满清[1] 茅冬生[1] 王仲明[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心

出　　处：《光学学报》1999年第2期235-238,共4页Acta Optica Sinica

摘　　要：阐述了电子回旋共振等离子体化学气相沉积法淀积半导体器件端面光学膜的优良特性，介绍了淀积反射率小于１０－４的１３１０ｎｍ半导体激光器端面增透膜技术。The dielectric thin films deposited on compound semiconductors devices by electron cyclotron resonance (ECR) plasma chemical vapor deposition (CVD) are characterized. The method to deposite antireflectivity coatings on 1310 nm semiconductor lasers with reflectivity less than 10 -4 and its advantage are discussed.

关 键 词：等离子体 半导体激光器 增透膜 CVD 光电子器件 

分 类 号：O484[理学—固体物理] TN248.403[理学—物理]