云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 刘宗顺

刘宗顺: 作品数：30被引量：71H指数：4; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文主题：氮化镓衬底氮化镓基激光器波导GAN更多>>; 发文领域：电子电信理学金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>; 发文期刊：《激光集锦》《中国激光》《发光学报》《物理学报》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金吉林省科委资助项目更多>>

光场分布对GaN基绿光激光器的影响被引量：3: 《中国激光》2020年第7期237-242,共6页梁锋赵德刚江德生刘宗顺朱建军陈平杨静; 国家重点研发计划(2018YFB0406903,2016YFB0401801,2016YFB0401803);国家自然科学基金(61674138,61674139,61604145,61574135,61574134,61904172);科学挑战计划(TZ2016003)。; 详细研究了n型AlGaN限制层与InGaN上波导对GaN基绿光激光器光场分布与电学特性的影响,结果表明:增加n型AlGaN限制层厚度或提高InGaN上波导中的铟组分可以明显抑制GaN基绿光激光器的光场泄漏,改善光场分布;相比In0.02Ga0.98N上波导,采用...; 关键词：激光光学氮化镓绿光激光器光场分布

高增益GaN基PIN雪崩二极管的制备及p-GaN层载流子浓度的估算被引量：1: 《发光学报》2020年第6期707-713,共7页曹子坤刘宗顺江德生朱建军陈平赵德刚; 国家重点研发计划(2018YFB0406903,2016YFB0401801,2016YFB0401803);国家自然科学基金(61674138,61674139,61604145,61574135,61574134,61904172);科学挑战计划(TZ2016003)资助项目。; 介绍了GaN基pin雪崩探测器的制作过程和测试结果。制作的器件在71 V反向偏压下发生雪崩,倍增因子达到5×104。我们发现,p层载流子浓度是影响器件性能的重要参数。结合电场强度分布的分析,本文提出了一种估算p层载流子浓度的方法,进一步...; 关键词：氮化镓雪崩探测器泊松方程

退火温度和退火气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响被引量：1: 《物理学报》2013年第20期386-390,共5页李晓静赵德刚何晓光吴亮亮李亮杨静乐伶聪陈平刘宗顺江德生; 国家杰出青年科学基金(批准号:60925017);国家自然科学基金(批准号:10990100,61176126);清华大学信息科学与技术国家实验室(筹)学科交叉基金资助的课题~~; 研究了不同退火温度和气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响.采用圆形传输线模型方法得到不同退火温度和不同退火气氛下的比接触电阻率.结果表明,较适宜的退火温度为500 C左右,退火温度太高或太低都会导致比接触电阻率的增大;较适...; 关键词：P-GAN 欧姆接触圆形传输线模型快速热退火

金属有机化学气相沉积法生长条件对AlN薄膜面内晶粒尺寸的影响被引量：1: 《物理学报》2013年第8期386-390,共5页吴亮亮赵德刚李亮乐伶聪陈平刘宗顺江德生; 国家杰出青年科学基金(批准号:60925017);国家自然科学基金(批准号:10990100;60836003;60976045;61176126);清华信息科学与技术国家实验室(筹)学科交叉基金资助的课题~~; 研究了金属有机化学气相沉积设备生长条件对AlN薄膜质量的影响.应用Williamson-Hall方法测试并分析了不同氮化时间、AlN缓冲层生长时间、载气流量生长参数对AlN薄膜的面内晶粒尺寸的影响.实验结果表明,随着氮化时间减小,缓冲层生长时间...; 关键词：ALN Williamson-Hall 面内晶粒尺寸

纳米折叠InGaN／GaNLED材料生长及器件特性被引量：5: 《物理学报》2011年第7期508-511,共4页陈贵锋谭小动万尾甜沈俊郝秋艳唐成春朱建军刘宗顺赵德刚张书明; 天津市自然科学基金(批准号:10JCYBJC03000);中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室资助的课题~~; 在以自组织Ni纳米岛为掩膜制作的n-GaN纳米柱上,利用MOCVD方法外延生长了具有折叠InGaN/GaN多量子阱(MQW)的LED结构外延片,进而制作了LED器件.外延片上中下游的光致荧光测试,结果表明外延片具有很好的均匀性.用该外延片制作的LED的电致...; 关键词：纳米柱LED 光致发光电致发光

高阻氮化镓外延层的异常光吸收: 《物理学报》2010年第11期8048-8051,共4页刘文宝赵德刚江德生刘宗顺朱建军张书明杨辉; 国家自然科学基金(批准号:60776047,60506001,60476021,60576003,60836003)资助的课题~~; 通过光伏谱(PV)的测量发现,采用MOCVD方法生长的非故意掺杂GaN外延膜,电阻较大的样品在带隙内有明显的异常光吸收.吸收峰的能量位置表明这种异常吸收可能与激子有关.在这些高阻样品上制作的MSM型探测器,当入射光照射不同位置,其光谱响...; 关键词：GAN 激子光伏谱光谱响应

器件参数对GaN基n^+-GaN/i-Al_x Ga_(1-x)N/n^+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响被引量：1: 《物理学报》2010年第12期8903-8909,共7页邓懿赵德刚吴亮亮刘宗顺朱建军江德生张书明梁骏吾; 国家杰出青年科学基金(批准号:60925017);国家自然科学基金(批准号:10990100;60836003;60776047)资助的课题~~; 研究了AlGaN层参数对GaN基n+-GaN/i-AlxGa1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响规律及物理机制.模拟计算发现:降低AlGaN层本底载流子浓度会增加器件的量子效率,当本底载流子浓度不能进一步降低时,可以通过减小AlGaN层...; 关键词：GAN 紫外和红外探测器量子效率

穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响被引量：1: 《物理学报》2009年第11期7952-7957,共6页张爽赵德刚刘宗顺朱建军张书明王玉田段俐宏刘文宝江德生杨辉; 国家自然科学基金(批准号:60776047;60506001;60476021;60576003;60836003)资助的课题~~; 研究了GaN基p-i-n(p-AlGaN/i-GaN/n-GaN)结构紫外探测器的漏电机理.实验发现,在位错密度几乎相同的情况下,基于表面有较高密度的V形坑缺陷材料制备的器件表现出较高的反向漏电.进一步的SEM测试发现,这种V形坑穿透到有源区i-GaN、甚至n-...; 关键词：GAN 紫外探测器 V形坑反向漏电

Defect Cluster-Induced X-Ray Diffuse Scattering in GaN Films Grown by MOCVD: 《Journal of Semiconductors》2008年第7期1242-1245,共4页马志芳王玉田江德生赵德刚张书明朱建军刘宗顺孙宝娟段瑞飞杨辉梁骏吾; 国家自然科学基金(批准号:60506001,60476021,60576003);国家重点基础研究发展规划(批准号:2007CB936700)资助项目~~; High-resolution X-ray diffraction has been employed to investigate the diffuse scattering in a （0001） oriented GaN epitaxial film grown on sapphire substrate. The analysis reveals that defect clusters are present in...; 关键词：X-ray diffuse scattering GAN defect cluster

高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2007年第4期592-596,共5页刘宗顺赵德刚朱建军张书明段俐宏王海史永生刘文宝张爽江德生杨辉; 制作了反向饱和电流为5.5×10-14A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm...; 关键词：肖特基势垒紫外探测器 GaN 开路电压禁带边表面态

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