何晓光

作品数:1被引量:1H指数:1
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供职机构:中国科学院更多>>
发文主题:P-GANNI/AU快速热退火欧姆接触退火温度更多>>
发文领域:电子电信金属学及工艺更多>>
发文期刊:《物理学报》更多>>
所获基金:国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
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退火温度和退火气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响被引量:1
《物理学报》2013年第20期386-390,共5页李晓静 赵德刚 何晓光 吴亮亮 李亮 杨静 乐伶聪 陈平 刘宗顺 江德生 
国家杰出青年科学基金(批准号:60925017);国家自然科学基金(批准号:10990100,61176126);清华大学信息科学与技术国家实验室(筹)学科交叉基金资助的课题~~
研究了不同退火温度和气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响.采用圆形传输线模型方法得到不同退火温度和不同退火气氛下的比接触电阻率.结果表明,较适宜的退火温度为500 C左右,退火温度太高或太低都会导致比接触电阻率的增大;较适...
关键词:P-GAN 欧姆接触 圆形传输线模型 快速热退火 
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