吴亮亮

作品数：3被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：太阳能电池欧姆接触P-GANINGAN/GANINGAN更多>>
发文领域：理学电子电信金属学及工艺更多>>
发文期刊：《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
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退火温度和退火气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响被引量：1
《物理学报》2013年第20期386-390,共5页李晓静 赵德刚 何晓光 吴亮亮 李亮 杨静 乐伶聪 陈平 刘宗顺 江德生 
国家杰出青年科学基金(批准号:60925017);国家自然科学基金(批准号:10990100,61176126);清华大学信息科学与技术国家实验室(筹)学科交叉基金资助的课题~~
研究了不同退火温度和气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响.采用圆形传输线模型方法得到不同退火温度和不同退火气氛下的比接触电阻率.结果表明,较适宜的退火温度为500 C左右,退火温度太高或太低都会导致比接触电阻率的增大;较适...
关键词：P-GAN 欧姆接触 圆形传输线模型 快速热退火 
金属有机化学气相沉积法生长条件对AlN薄膜面内晶粒尺寸的影响被引量：1
《物理学报》2013年第8期386-390,共5页吴亮亮 赵德刚 李亮 乐伶聪 陈平 刘宗顺 江德生 
国家杰出青年科学基金(批准号:60925017);国家自然科学基金(批准号:10990100;60836003;60976045;61176126);清华信息科学与技术国家实验室(筹)学科交叉基金资助的课题~~
研究了金属有机化学气相沉积设备生长条件对AlN薄膜质量的影响.应用Williamson-Hall方法测试并分析了不同氮化时间、AlN缓冲层生长时间、载气流量生长参数对AlN薄膜的面内晶粒尺寸的影响.实验结果表明,随着氮化时间减小,缓冲层生长时间...
关键词：ALN Williamson-Hall 面内晶粒尺寸 
器件参数对GaN基n^+-GaN/i-Al_x Ga_(1-x)N/n^+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响被引量：1
《物理学报》2010年第12期8903-8909,共7页邓懿 赵德刚 吴亮亮 刘宗顺 朱建军 江德生 张书明 梁骏吾 
国家杰出青年科学基金(批准号:60925017);国家自然科学基金(批准号:10990100;60836003;60776047)资助的课题~~
研究了AlGaN层参数对GaN基n+-GaN/i-AlxGa1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响规律及物理机制.模拟计算发现:降低AlGaN层本底载流子浓度会增加器件的量子效率,当本底载流子浓度不能进一步降低时,可以通过减小AlGaN层...
关键词：GAN 紫外和红外探测器 量子效率 
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