陈贵锋

作品数:28被引量:56H指数:4
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供职机构:河北工业大学更多>>
发文主题:直拉硅氧沉淀氮化镓电子辐照中子辐照更多>>
发文领域:电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊:《中国材料进展》《材料科学与工程学报》《半导体技术》《电源技术》更多>>
所获基金:国家自然科学基金河北省自然科学基金河北省科学技术研究与发展计划项目河北省教育厅科研基金更多>>
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表面缺陷促进SnO微板在中性电解质中的电催化性能被引量:2
《河北工业大学学报》2018年第6期13-18,26,共7页陈贵锋 刘春峰 陶俊光 
国家自然科学基金(11604074;61674051);河北省百人计划(E2015100014)
使用超声波和有机物辅助水热法合成SnO微板.研究表明,可以通过改变反应溶液的pH值,获得具有不同表面形态的样品.使用超声波和水热法联合处理可以进一步调节样品的电催化析氢(HER)活性.通过改变生长环境的pH值,SnO的析氢起始电位和Tafel...
关键词:SNO 析氢 二维材料 
MoS_2为基纳米复合材料的制备及性能研究进展被引量:4
《中国材料进展》2017年第12期929-937,共9页宋晓琳 陈贵锋 关丽秀 任慧 陈士强 陈洪建 陶俊光 
二硫化钼(MoS_2)是一种层状过渡族金属硫化物材料,由于其单层独特的电子结构及物理化学性能被广泛地应用在各个领域,包括光降解有机染料、电化学析氢及太阳能电池等方面。近几年,二硫化钼纳米材料由于比表面积较大、禁带宽度窄、优秀的...
关键词:MOS2 纳米复合材料 光催化 电化学析氢 电池性能 
溶液法制备氧化锌晶体的微结构及发光特性研究(英文)被引量:2
《发光学报》2015年第6期628-633,共6页张辉 陈贵锋 莫兆军 赵晓丽 阎文博 郝秋艳 李微 
国家自然科学基金(61176126);河北省自然科学基金(F2013202001);教育部新世纪人才项目(NCET-10-0126)资助
以醋酸锌和六次甲基四胺为原料在不同的溶液环境中,采用水热法或热溶液法合成了不同形貌的微纳氧化锌。氧化锌形貌和尺寸的控制对合成环境有强烈的依赖。通过化学吸附将乙二胺四乙酸二钠和柠檬酸吸附在氧化锌的极性面上,可以抑制极性面...
关键词:氧化锌 微结构 拉曼光谱 
快中子辐照直拉硅中非晶区的FTIR研究
《硅酸盐通报》2014年第10期2468-2471,共4页杨帅 陈贵锋 王永 
国家自然科学基金(61176126);河北省自然科学基金(F2013202001)资助项目
利用Fourier变换红外光谱技术研究了高剂量快中子辐照直拉单晶硅中的辐照缺陷。研究表明,当中子剂量超过1018n·cm-2,在硅晶体会引入大量的非晶区和少量的非晶层(由连续的非晶区组成),分别在FTIR光谱中引入485和529.2 cm-1两个吸收带。...
关键词:直拉硅 中子辐照 非晶区 空位型缺陷 
热处理气氛对电子辐照直拉硅中氧沉淀的影响
《硅酸盐通报》2014年第7期1802-1805,共4页蔡莉莉 冯翠菊 陈贵锋 
国家自然科学基金(50872028);河北省教育厅科技项目(Z2013024);中央高校基本科研业务费(JCB2013B09)
对经过电子辐照的n型[111]晶向直拉硅样品在不同气氛下进行了热处理,对比研究了热处理气氛对电子辐照直拉硅中的缺陷形貌、间隙氧含量的变化以及清洁区的影响。实验结果表明,热处理气氛对辐照样品中的缺陷形貌影响较大:氩气氛下退火样...
关键词:电子辐照 氧沉淀 缺陷形貌 快速热处理(RTP) 清洁区(DZ) 
电子辐照直拉硅中VO_2的红外光谱表征
《材料科学与工程学报》2014年第2期251-254,共4页蔡莉莉 冯翠菊 陈贵锋 
国家自然科学基金资助项目(50872028);河北省教育厅科技资助项目(Z2013024);中央高校基本科研业务费资助项目(JCB2013B09)
用能量为1.5MeV,剂量为1.8×101 8e/cm2的电子束辐照直拉硅单晶样品,通过傅里叶变换红外光谱技术(FTIS)研究了辐照后样品中VO2缺陷随退火温度的变化及其热稳定性。实验结果表明,辐照在样品中引入了VO2的亚稳态缺陷,其特征吸收峰在低温...
关键词:电子辐照 傅里叶变换红外光谱(FTIS) 亚稳态缺陷 VO2复合体 
衬底对宽带隙CGS薄膜的影响
《人工晶体学报》2013年第12期2572-2575,共4页赵彦民 肖温 李微 杨立 乔在祥 陈贵锋 
国家高技术研究发展计划(863计划)(2012AA050701)
分别在Al∶ZnO(ZAO)薄膜和Mo薄膜两种不同衬底材料上,采用"三步法"共蒸发工艺沉积了约0.8μm厚的CuGaSe2(CGS)薄膜,用X射线衍射仪测量薄膜的织构,研究不同衬底材料对CGS薄膜的影响。在ZAO薄膜底电极上沉积的CGS薄膜的(112)衍射峰强度较M...
关键词:宽带隙 铜镓硒 共蒸发 衬底 
新型纳米太阳电池研究进展被引量:1
《电源技术》2013年第8期1477-1480,共4页李静 王建军 陈贵锋 
河北省自然科学基金(F2013202001)
分析了基于不同纳米材料的新型太阳电池的基本概念,如基于纳米线的径向pn结太阳电池、染料敏化太阳电池、纳米量子点太阳电池,简述了它们的各自特点及近期的研究进展。预期了高效率、低成本的纳米太阳电池将会对未来光伏产业发展产生的...
关键词:径向pn结太阳电池 染料敏化太阳电池 纳米量子点太阳电池 
快中子辐照直拉硅中的空位型缺陷被引量:3
《硅酸盐学报》2013年第6期808-811,共4页杨帅 徐建萍 邓晓冉 陈贵锋 
国家自然科学基金项目(10904109;50872028);河北省教育厅科研计划项目(2009318);天津理工大学校级项目(LGYM-201016)资助
利用正电子湮没谱(PAS)及Fourier变换红外吸收光谱(FTIR)技术研究了快中子辐照直拉硅(CZSi)中辐照缺陷。研究发现,经快中子辐照后的硅中会有大量的单空位型缺陷VO及多空位型缺陷V2和V2O;经200~450℃热处理后,FTIR光谱中出现的720和919....
关键词:直拉硅 正电子湮没 中子辐照 空位型缺陷 
中子辐照剂量对直拉硅中VO退火行为的影响
《硅酸盐通报》2013年第2期352-355,共4页杨帅 邓晓冉 徐建萍 陈贵锋 张辉 
国家自然科学基金(50872028;10904109);河北省教育厅科研计划(2009318)资助项目
本文通过红外吸收光谱技术研究了不同剂量快中子辐照直拉硅中空位氧缺陷(A中心)的退火行为。实验发现,经200℃热处理后样品中均会出现V2O(840 cm-1)和VO2.(919.6 cm-1)的红外吸收峰;当退火温度升高到400至450℃之间,在低剂量辐照样品(SL...
关键词:直拉硅 中子辐照 缺陷 A中心 
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