杨立

作品数：7被引量：2H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团公司第十八研究所更多>>
发文主题：薄膜太阳电池柔性衬底太阳电池衬底铜铟镓硒更多>>
发文领域：电气工程一般工业技术电子电信理学更多>>
发文期刊：《电源技术》《人工晶体学报》更多>>
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CZTSe/Cd_(1-x)Zn_xS界面能带结构研究
《人工晶体学报》2016年第8期2061-2066,共6页张超 李微 邓朝文 杨立 
严重的开路电压损耗是限制铜锌锡硫(硒)薄膜太阳电池性能提升的关键问题,其吸收层和缓冲层界面的能带结构有待进一步优化。针对此问题,本文对CZTSe/Cd_(1-x)Zn_xS界面的能带结构进行了研究。首先,模拟计算了化学水浴法制备Cd_(1-x)Zn_x...
关键词：Cd1-xZnxS CZTSe XPS测试 能带结构 
Na掺杂工艺对CIGS薄膜及柔性器件性能的影响
《电源技术》2015年第9期1909-1911,共3页杨立 田园 王赫 乔在祥 
采用共蒸发三步法在聚酰亚胺(PI)衬底上沉积CIGS薄膜,研究了Na掺杂工艺对PI衬底生长的CIGS薄膜性质及柔性太阳电池性能的影响。前掺Na工艺可有效改善吸收层CIGS薄膜电学性质,但会阻碍In、Ga互扩散,并导致CIGS薄膜结晶质量下降。这是由于...
关键词：掺Na CIGS薄膜 柔性太阳电池 
射频磁控溅射沉积铝掺杂氧化锌薄膜的研究
《电源技术》2015年第8期1682-1684,共3页杨立 冯金晖 徐睿 王赫 乔在祥 
采用射频磁控溅射法沉积铝掺杂氧化锌(Zn O∶Al,简称AZO)薄膜,研究了本底压强、溅射功率以及沉积时间对AZO薄膜光电性质的影响,优化了该层薄膜的沉积工艺。研究结果表明,在尽可能低的本底压强下,采用适中的溅射功率(500 W),制备出厚度约...
关键词：铝掺杂氧化锌薄膜 射频磁控溅射 导电性 透过率 
衬底对宽带隙CGS薄膜的影响
《人工晶体学报》2013年第12期2572-2575,共4页赵彦民 肖温 李微 杨立 乔在祥 陈贵锋 
国家高技术研究发展计划(863计划)(2012AA050701)
分别在Al∶ZnO(ZAO)薄膜和Mo薄膜两种不同衬底材料上,采用"三步法"共蒸发工艺沉积了约0.8μm厚的CuGaSe2(CGS)薄膜,用X射线衍射仪测量薄膜的织构,研究不同衬底材料对CGS薄膜的影响。在ZAO薄膜底电极上沉积的CGS薄膜的(112)衍射峰强度较M...
关键词：宽带隙 铜镓硒 共蒸发 衬底 
ZAO特性及其在CIGS电池中的应用
《电源技术》2012年第7期1017-1018,共2页纪伟伟 杨立 赵彦民 崔菲菲 乔在祥 
透明导电氧化物薄膜(Transparent Conductive Oxides,简称TCO)用途广泛,介绍了TCO应用于光伏领域中的铜铟镓硒薄膜(CIGS)太阳电池,是CIGS太阳电池中不可缺少的一部分。简要阐述了其可见光范围内的透明性和导电性及其成因,以及作为CIGS...
关键词：CIGS太阳电池 透明导电氧化物薄膜(TCO) ITO AZO 
铜铟镓硒柔性薄膜太阳电池的制备及性能表征被引量：2
《电源技术》2009年第5期406-408,共3页方小红 赵彦民 杨立 冯金晖 李巍 
天津市科技支撑计划重点项目(07ZCKFGX02700)
以厚度为25～70mm的钛箔为衬底,直流磁控溅射法制备0.8～1.2mm的底电极Mo薄膜,而后以CuIn和CuGa靶交替溅射制得Cu-In-Ga金属预制膜,再以真空硒化法制得CuIn1-xGaxSe2薄膜。以化学浴沉积法制备缓冲层CdS,射频磁控溅射法制备ZnO和ZAO,直...
关键词：铜铟镓硒 薄膜 太阳电池 柔性 
铜铟镓硒柔性薄膜太阳电池被引量：1
《电源技术》2007年第7期569-572,共4页方小红 刘勇 王庆华 杨立 赵彦民 冯金晖 
介绍了铜铟镓硒柔性薄膜太阳电池的性能、优点以及应用范围;阐述了柔性薄膜太阳电池的国内外研究现状、发展趋势;特别介绍了柔性薄膜太阳电池的典型结构以及柔性衬底材料的要求和选择,底电极、吸收层、缓冲层、窗口层、减反射膜、上电...
关键词：铜铟镓硒 柔性 薄膜 太阳电池 
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