衬底对宽带隙CGS薄膜的影响  

Influence of Substrates on the Wide Band Gap CGS Thin Films

作　　者：赵彦民[1] 肖温[2] 李微[1] 杨立[1] 乔在祥[1] 陈贵锋[2] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十八研究所化学与物理电源技术重点实验室,天津300384 [2]河北工业大学材料科学与工程学院,天津300130

出　　处：《人工晶体学报》2013年第12期2572-2575,共4页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)(2012AA050701)

摘　　要：分别在Al∶ZnO(ZAO)薄膜和Mo薄膜两种不同衬底材料上,采用"三步法"共蒸发工艺沉积了约0.8μm厚的CuGaSe2(CGS)薄膜,用X射线衍射仪测量薄膜的织构,研究不同衬底材料对CGS薄膜的影响。在ZAO薄膜底电极上沉积的CGS薄膜的(112)衍射峰强度较Mo薄膜底电极上减弱,(220/204)衍射峰反而增强。CuGaSe2 （CGS） thin films with thickness of 0. 8 ~xm were prepared by ＂ three step＂ coevaporation technology on AI： ZnO （ZAO） film and Mo film, respectively. The influence of substrates on the preferential growth of the films was investigated by XRD diffractometer. The intensity （ 112 ） texture of CGS films deposited on the two substrates mentioned above decreases the given order, while the intensity （220/204） texture increases gradually.

关 键 词：宽带隙 铜镓硒 共蒸发 衬底 

分 类 号：O484[理学—固体物理]