氧沉淀

作品数：74被引量：86H指数：5
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大尺寸直拉法单晶硅生长过程中晶体缺陷的研究进展被引量：2
《材料导报》2024年第24期11-19,共9页周翔 李太 黄振玲 赵亮 康家铭 李绍元 任永生 马文会 吕国强 
云南省重点研发项目(202002AB080030,202103AA080003);云南省科技重大专项(202102AB080016,202202AG050012);云南省科技计划项目(202302AD080008)。
太阳能光伏发电的碳排放量仅占化石能源发电的1/20~1/10,是实现“双碳”目标的必然选择和有效途径。随着光伏装机规模的持续增加和太阳能电池效率的不断提高,相关行业对单晶硅片向着低成本、大尺寸、高品质的发展提出了更高的要求。然而...
关键词：单晶硅 点缺陷 氧沉淀 氮 磷 硼 碳 
硅单晶片中的氧及对后续缺陷的影响被引量：3
《微电子学》2019年第1期140-145,共6页潘国刚 胡玮芳 何火军 
国家自然科学基金资助项目(61272315);浙江省科技厅国际合作项目(2017C3303);绍兴市2017年科技计划资助项目(2017B70070)
通过测量硅晶棒不同部位的氧含量,分析了氧在硅晶棒中的分布规律。结合高温氧化后的缺陷观察结果,研究了氧含量及后续高温生产工艺对硅晶体中缺陷数量的影响。对不同氧含量的两种硅单晶片所生产的功率集成电路进行了失效分析。结果表明...
关键词：硅单晶 氧含量 氧沉淀 缺陷 功率集成电路 
MEMS用硅单晶缺陷对各向异性腐蚀的影响被引量：2
《微纳电子技术》2017年第10期720-724,共5页韩焕鹏 杨静 杨洪星 
为了满足微电子机械系统(MEMS)器件制作要求,各向异性腐蚀加工后的硅衬底需具有良好的表面质量。针对MEMS用硅单晶在各向异性腐蚀加工过程中出现的腐蚀表面粗糙、不平整问题,采用常规直拉(Cz)单晶、掺锗直拉单晶和磁场直拉单晶等不同工...
关键词：微电子机械系统(MEMS) 硅单晶 各向异性腐蚀 氧杂质浓度 微缺陷 氧沉淀 
多晶硅沉积厚度对氧沉淀和洁净区形成的影响被引量：1
《稀有金属》2016年第12期1256-1259,共4页黄栋栋 曲翔 刘大力 周旗钢 刘斌 刘红艳 
国家重大科技专项项目(2010ZX02302-001)资助
硅片背面沉积多晶硅是半导体生产中常用的吸杂手段,多晶硅中存在着大量的晶界,可以吸除金属杂质,它还可以影响硅片内氧沉淀的分布,增强内吸杂的作用。通过控制低压化学气相沉积(LPCVD)系统的沉积时间,在硅片背面沉积不同厚度的多晶硅薄...
关键词：重掺硅片 多晶硅吸杂 择优腐蚀 氧沉淀 
热处理气氛对电子辐照直拉硅中氧沉淀的影响
《硅酸盐通报》2014年第7期1802-1805,共4页蔡莉莉 冯翠菊 陈贵锋 
国家自然科学基金(50872028);河北省教育厅科技项目(Z2013024);中央高校基本科研业务费(JCB2013B09)
对经过电子辐照的n型[111]晶向直拉硅样品在不同气氛下进行了热处理,对比研究了热处理气氛对电子辐照直拉硅中的缺陷形貌、间隙氧含量的变化以及清洁区的影响。实验结果表明,热处理气氛对辐照样品中的缺陷形貌影响较大:氩气氛下退火样...
关键词：电子辐照 氧沉淀 缺陷形貌 快速热处理(RTP) 清洁区(DZ) 
铸造多晶硅生长过程中氧的传递过程研究
《科技信息》2011年第25期I0046-I0046,I0049,共2页王海荣 
定向凝固法生长铸造多晶硅系统中,氧的平衡涉及到三个界面,它们是坩埚与熔体界面、熔体与气相界面以及晶体与熔体界面。因此氧的传递包含可能的三个过程:(1)氧从坩埚中向硅熔体中进行扩散;(2)氧的分凝导致氧从熔体中进入凝固的晶体中;(3...
关键词：多晶硅 传递速率 接触面积 氧沉淀 对流 扩散 保护层 纯度 利用率 
Ф400mm直拉硅单晶生长过程中氧浓度对微缺陷影响的数值模拟被引量：9
《人工晶体学报》2011年第5期1150-1156,共7页曾庆凯 关小军 潘忠奔 张怀金 王丽君 禹宝军 刘千千 
高等学校博士学科点专项科研基金(No.200804220021)
针对大直径直拉硅的微缺陷控制问题,模拟研究了初始氧浓度对于直径400 mm直拉硅单晶生长过程中原生点缺陷、空洞和氧沉淀演变规律。结果表明:晶体生长过程中氧沉淀和空洞的浓度及尺寸受晶体所经历的热历史和初始氧浓度的共同影响。当温...
关键词：CZ硅 数值模拟 空洞 氧沉淀 初始氧浓度 
快速热处理对高能粒子辐照硅中氧沉淀的影响被引量：1
《浙江大学学报（工学版）》2011年第5期928-933,953,共7页陈贵锋 马晓薇 吴建海 马巧云 薛晶晶 郝秋艳 
国家自然科学基金资助项目(50872028);河北省自然科学基金资助项目(E2008000079);河北省教育厅科研计划资助项目(2009318)
研究快速热处理对快中子辐照掺氮直拉硅(NCZ-Si)和电子辐照直拉硅(CZ-Si)中氧沉淀和清洁区(DZ)的影响.样品经过不同温度、降温速率和退火气氛快速热处理(RTP)预处理后,再进行高温一步长时间退火,以形成氧沉淀.研究结果表明:对于快中子辐...
关键词：中子辐照 电子辐照 掺氮直拉硅 直拉硅 氧沉淀 清洁区 
快中子辐照直拉硅中的氧沉淀及诱生缺陷被引量：3
《硅酸盐学报》2010年第10期1927-1930,共4页马巧云 陈贵锋 马晓薇 薛晶晶 郝秋艳 
国家自然科学基金(50872028);河北省自然科学基金(E20-08000079);河北省教育厅科研计划(2009318)资助项目
利用光学显微镜和透射电子显微镜,研究了1100℃退火后快中子辐照直拉硅中氧沉淀及诱生缺陷的产生及其随退火时间的演变情况。实验发现:在快中子辐照直拉硅中,氧沉淀过程中产生了氧沉淀诱生的体层错和结构复杂的位错环。延长退火时间,缺...
关键词：快中子辐照 直拉硅 氧沉淀 缺陷 
快速热处理对电子辐照直拉硅中氧沉淀的影响被引量：1
《硅酸盐学报》2010年第2期196-200,共5页蔡莉莉 陈贵锋 李养贤 
国家自然科学基金(50872028);河北省自然科学基金(E2008000079);河北省教育厅科学研究计划(2009318)资助项目
对n型[111]晶向直拉硅样品进行电子辐照,然后分别在不同温度和降温速率下快速热处理(rapid thermal process,RTP),再在1100℃下进行常规一步退火。研究了RTP温度和降温速率对硅样品内氧沉淀的变化及样品表面清洁区形成的影响。结果表明...
关键词：硅单晶 电子辐照 氧沉淀 快速热处理 清洁区 
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