潘国刚

作品数：1被引量：3H指数：1
导出分析报告
供职机构：华越微电子有限公司更多>>
发文主题：氧化层VDMOS器件沟槽介质隔离桥区更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学》更多>>
所获基金：浙江省科技厅国际合作项目绍兴市科技计划项目国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
硅单晶片中的氧及对后续缺陷的影响被引量：3
《微电子学》2019年第1期140-145,共6页潘国刚 胡玮芳 何火军 
国家自然科学基金资助项目(61272315);浙江省科技厅国际合作项目(2017C3303);绍兴市2017年科技计划资助项目(2017B70070)
通过测量硅晶棒不同部位的氧含量,分析了氧在硅晶棒中的分布规律。结合高温氧化后的缺陷观察结果,研究了氧含量及后续高温生产工艺对硅晶体中缺陷数量的影响。对不同氧含量的两种硅单晶片所生产的功率集成电路进行了失效分析。结果表明...
关键词：硅单晶 氧含量 氧沉淀 缺陷 功率集成电路 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部