何火军

作品数：2被引量：3H指数：1
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发文主题：VDMOS器件氧化层P沟道高温退火分立器件更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《微纳电子技术》《微电子学》更多>>
所获基金：浙江省科技厅国际合作项目绍兴市科技计划项目国家自然科学基金教育部重点实验室开放基金更多>>
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硅单晶片中的氧及对后续缺陷的影响被引量：3
《微电子学》2019年第1期140-145,共6页潘国刚 胡玮芳 何火军 
国家自然科学基金资助项目(61272315);浙江省科技厅国际合作项目(2017C3303);绍兴市2017年科技计划资助项目(2017B70070)
通过测量硅晶棒不同部位的氧含量,分析了氧在硅晶棒中的分布规律。结合高温氧化后的缺陷观察结果,研究了氧含量及后续高温生产工艺对硅晶体中缺陷数量的影响。对不同氧含量的两种硅单晶片所生产的功率集成电路进行了失效分析。结果表明...
关键词：硅单晶 氧含量 氧沉淀 缺陷 功率集成电路 
直接栅MOSFET静电场传感器温度漂移模型和模拟
《微纳电子技术》2012年第2期113-117,128,共6页鄢细根 何火军 陈新安 
东南大学MEMS教育部重点实验室开放研究基金资助项目(2009-4)
推导出了直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移系数,并研究了温度漂移的主要原因。此研究工作对消除直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移有一定的帮助。首先,建立了直接栅MOSFET静电场传感器沟道中电荷随温度变化的模型。其次,根据直接栅...
关键词：直接栅MOSFET 静电场传感器 温度漂移 载流子浓度 载流子迁移率 
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