马晓薇

作品数：5被引量：4H指数：1
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供职机构：河北工业大学更多>>
发文主题：电子辐照氮化镓氢化物气相外延数值模拟氧沉淀更多>>
发文领域：电子电信建筑科学一般工业技术交通运输工程更多>>
发文期刊：《半导体技术》《硅酸盐学报》《浙江大学学报（工学版）》更多>>
所获基金：河北省自然科学基金河北省科学技术研究与发展计划项目河北省教育厅科研基金国家自然科学基金更多>>
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快速热处理对高能粒子辐照硅中氧沉淀的影响被引量：1
《浙江大学学报（工学版）》2011年第5期928-933,953,共7页陈贵锋 马晓薇 吴建海 马巧云 薛晶晶 郝秋艳 
国家自然科学基金资助项目(50872028);河北省自然科学基金资助项目(E2008000079);河北省教育厅科研计划资助项目(2009318)
研究快速热处理对快中子辐照掺氮直拉硅(NCZ-Si)和电子辐照直拉硅(CZ-Si)中氧沉淀和清洁区(DZ)的影响.样品经过不同温度、降温速率和退火气氛快速热处理(RTP)预处理后,再进行高温一步长时间退火,以形成氧沉淀.研究结果表明:对于快中子辐...
关键词：中子辐照 电子辐照 掺氮直拉硅 直拉硅 氧沉淀 清洁区 
快中子辐照直拉硅中的氧沉淀及诱生缺陷被引量：3
《硅酸盐学报》2010年第10期1927-1930,共4页马巧云 陈贵锋 马晓薇 薛晶晶 郝秋艳 
国家自然科学基金(50872028);河北省自然科学基金(E20-08000079);河北省教育厅科研计划(2009318)资助项目
利用光学显微镜和透射电子显微镜,研究了1100℃退火后快中子辐照直拉硅中氧沉淀及诱生缺陷的产生及其随退火时间的演变情况。实验发现:在快中子辐照直拉硅中,氧沉淀过程中产生了氧沉淀诱生的体层错和结构复杂的位错环。延长退火时间,缺...
关键词：快中子辐照 直拉硅 氧沉淀 缺陷 
GaN薄膜材料TEM样品的制备
《半导体技术》2008年第S1期161-163,共3页陈雷英 陈贵锋 赵勇明 白云娜 马晓薇 李养贤 
河北省科学技术研究与发展指导计划(07215134);河北省自然科学基金(E2007000119)
研究了采用机械研磨和离子减薄技术制备透射电镜用薄膜样品的方法,介绍了GaN截面TEM样品的制备,发展了供透射电子显微镜(TEM)分析用的"三明治"半导体样品制样技术,并利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜进行观测,获得了有关半导体...
关键词：氮化镓 透射电子显微镜 样品制备 薄膜材料 
垂直式HVPE反应器温场的数值模拟
《半导体技术》2008年第S1期116-118,共3页赵勇明 陈贵锋 陈雷英 马晓薇 白云娜 李养贤 
河北省科学技术研究与发展指导计划(07215134);河北省自然科学基金(E2008000079;E2007000119)
基于CFD理论得出了不同条件下的温场分布,研究了流速变化对HVPE反应器温场的影响。在模拟计算中,流场数值模拟基于非交错网格系统的SIMPLE算法,用有限体积方法对控制方程进行离散,并采用改进的压力-速度耦合方法进行求解温场通过与具体...
关键词：氢化物气相外延 温场 计算机流体力学 有限体积法 流场 
垂直式HVPE生长GaN材料的数值模拟
《半导体技术》2008年第S1期119-122,共4页赵勇明 陈贵锋 陈雷英 马晓薇 白云娜 李养贤 
河北省科学技术研究与发展指导计划(07215134);河北省自然科学基金(E2007000119)
建立了HVPE的GaN流体动力学模型。基于CFD理论在三维空间内模拟了垂直式HVPE反应室生长GaN材料的流场、生成物的分布及沉积速率等重要物理参数。通过变化衬底距离出气口的距离、NH3出气口尺寸、衬底旋转等模型,分别进行数值模拟,模拟结...
关键词：氮化镓 氢化物气相外延 计算流体力学理论 
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