赵勇明

作品数：7被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文主题：电池隧道结衬底太阳能电池光伏电池更多>>
发文领域：电子电信电气工程一般工业技术文化科学更多>>
发文期刊：《激光与光电子学进展》《红外与毫米波学报》《半导体技术》更多>>
所获基金：河北省自然科学基金河北省科学技术研究与发展计划项目国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
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图案化GaAs衬底外延InP局域表面成核层生长
《半导体技术》2015年第6期448-454,共7页戚永乐 张瑞英 张震 王岩岩 朱健 孙玉润 赵勇明 董建荣 王庶民 
国家自然科学基金资助项目(51202284);信息功能材料国家重点实验室开放课题
使用光学显微镜、原子力显微镜和微区喇曼光谱对在纳球光刻图案化GaAs衬底的孔洞区进行金属有机化学气相沉积(MOCVD)进而对InP成核层进行了研究。实验结果表明,该局域表面InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,与MOCVD的生...
关键词：图形化衬底 GaAs/InP异质外延 表面形貌 粗糙度 应力 
1.31μm InGaAsP/InGaAlAs TM偏振高速激光器的优化设计
《激光与光电子学进展》2014年第2期102-108,共7页曾徐路 于淑珍 李奎龙 孙玉润 赵勇明 赵春雨 董建荣 
报道了一种以InGaAsP(阱)/InGaAlAs(垒)量子阱为有源区的1.31μmTM偏振高速激光器。以1%张应变的In_(0.49)Ga_(0.51)As_(0.79)P_(0.21)作为阱层,0.5%压应变的InGaAlAs作为垒层,计算了由不同势垒带隙(1.309、1.232、1.177、1.136、1.040 ...
关键词：激光器 TM偏振 数值模拟 INGAASP INGAALAS 
基于InP衬底的晶格失配In_(0.68)Ga_(0.32)As的MOCVD生长及其特性研究被引量：1
《红外与毫米波学报》2013年第2期118-121,共4页朱亚旗 陈治明 陆书龙 季莲 赵勇明 谭明 
国家自然科学基金(61176128);苏州市工业支撑计划(Y1SAQ31001)~~
采用MOCVD生长技术在InP衬底上成功实现了晶格失配的3μm In0.68Ga0.32As薄膜生长.通过As组分的改变,利用张应变和压应变交替补偿的InAsxP1-x应变缓冲层结构来释放由于晶格失配所产生的应力,在InP衬底上得到了与In0.68Ga0.32As晶格匹配...
关键词：IN0 68Ga0 32As 应力释放 InAsxP1-x 
In_(0.68)Ga_(0.32)As热光伏电池的制作和特性分析被引量：1
《激光与光电子学进展》2012年第9期145-149,共5页谭明 季莲 赵勇明 朱亚旗 陈治明 陆书龙 
国家自然科学基金(61176128);苏州市工业支撑计划(Y1SAQ31001)资助课题
用在InP衬底上失配生长的能隙为0.6eV的In0.68Ga0.32As制成了热光伏(TPV)电池。对其光伏特性的测试分析表明,通过对As组分渐变的InAsxP1-x缓冲层厚度的优化,可以将晶格失配引起的位错完全弛豫在缓冲层内,从而大幅改善热光伏电池的性能。...
关键词：材料 热光伏电池 开路电压 InAsxP1-x缓冲层 外量子效率 
GaN薄膜材料TEM样品的制备
《半导体技术》2008年第S1期161-163,共3页陈雷英 陈贵锋 赵勇明 白云娜 马晓薇 李养贤 
河北省科学技术研究与发展指导计划(07215134);河北省自然科学基金(E2007000119)
研究了采用机械研磨和离子减薄技术制备透射电镜用薄膜样品的方法,介绍了GaN截面TEM样品的制备,发展了供透射电子显微镜(TEM)分析用的"三明治"半导体样品制样技术,并利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜进行观测,获得了有关半导体...
关键词：氮化镓 透射电子显微镜 样品制备 薄膜材料 
垂直式HVPE反应器温场的数值模拟
《半导体技术》2008年第S1期116-118,共3页赵勇明 陈贵锋 陈雷英 马晓薇 白云娜 李养贤 
河北省科学技术研究与发展指导计划(07215134);河北省自然科学基金(E2008000079;E2007000119)
基于CFD理论得出了不同条件下的温场分布,研究了流速变化对HVPE反应器温场的影响。在模拟计算中,流场数值模拟基于非交错网格系统的SIMPLE算法,用有限体积方法对控制方程进行离散,并采用改进的压力-速度耦合方法进行求解温场通过与具体...
关键词：氢化物气相外延 温场 计算机流体力学 有限体积法 流场 
垂直式HVPE生长GaN材料的数值模拟
《半导体技术》2008年第S1期119-122,共4页赵勇明 陈贵锋 陈雷英 马晓薇 白云娜 李养贤 
河北省科学技术研究与发展指导计划(07215134);河北省自然科学基金(E2007000119)
建立了HVPE的GaN流体动力学模型。基于CFD理论在三维空间内模拟了垂直式HVPE反应室生长GaN材料的流场、生成物的分布及沉积速率等重要物理参数。通过变化衬底距离出气口的距离、NH3出气口尺寸、衬底旋转等模型,分别进行数值模拟,模拟结...
关键词：氮化镓 氢化物气相外延 计算流体力学理论 
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