张瑞英

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供职机构:中国科学院更多>>
发文主题:SI表面形貌MQWINPGAAS衬底更多>>
发文领域:电子电信一般工业技术动力工程及工程热物理更多>>
发文期刊:《半导体技术》《激光与光电子学进展》更多>>
所获基金:国家自然科学基金国家重点实验室开放基金教育部留学回国人员科研启动基金江西省自然科学基金更多>>
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Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成波导高效耦合的容差范围
《半导体技术》2019年第12期925-931,共7页王天甲 张瑞英 王杰 
国家自然科学基金资助项目(51202284);江苏省重点研发计划(产业前瞻与共性关键技术)资助项目(BE2016083);江西省自然科学基金资助项目(2019ACBL20054)
Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成的反馈外腔半导体光源及其相关集成器件成为近年来的研究热点,大容差范围是该类器件提高成品率和降低制备成本的有效途径。采用有限差分光束传播法,针对应用于大尺寸Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成波导的双锥形耦合器结构进行了仿真...
关键词:Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成波导 耦合效率 双锥形耦合器 有限差分光束传播法(FD-BPM) 容差范围 
双沟道脊波导InGaAsP/InGaAsP半导体激光器的温度分布仿真
《半导体技术》2019年第5期356-361,373,共7页李晓 张瑞英 郭春扬 赵岳 
国家自然科学基金资助项目(51202284);江苏省重点研发计划--产业前瞻与共性关键技术资助项目(BE2016083)
采用二维有限元法(FEM)模拟了激射波长为1 550 nm的InGaAsP/InGaAsP多量子阱(MQW)双沟道脊波导(DCRW)激光器的热分布,系统研究了钝化层材料、沟道宽度、Au层厚度和石墨烯填充对激光器散热的影响。模拟结果表明,上述参数均对激光器的有...
关键词:温升 InGaAsP/InGaAsP多量子阱(MQW) 双沟道 脊型 半导体激光器 
在晶元级Si衬底上制备高深宽比SiO_2周期图形(英文)
《纳米技术与精密工程》2016年第6期395-401,共7页戚永乐 张瑞英 仇伯仓 王逸群 王庶民 
funded by the National Natural Science Foundation(51202284);the Suzhou City Project(SYG201301);Jiangsu Project(BE2016083);State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences;Key Laboratory of Nanodevices and Applications,Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics,Chinese Academy of Sciences
本文主要介绍了通过步进式光刻、反相剥离和F基等离子体刻蚀工艺在晶元级Si衬底上制备SiO_2图形的过程,在6 in(15.24 cm)Si衬底上实现了均匀的周期分别为1.0μm和1.6μm、深宽比分别为2.3和1.4的SiO_2周期性掩膜.尤其在周期为1μm的条件...
关键词:图形衬底 异质外延 高深宽比 
图案化GaAs衬底外延InP局域表面成核层生长
《半导体技术》2015年第6期448-454,共7页戚永乐 张瑞英 张震 王岩岩 朱健 孙玉润 赵勇明 董建荣 王庶民 
国家自然科学基金资助项目(51202284);信息功能材料国家重点实验室开放课题
使用光学显微镜、原子力显微镜和微区喇曼光谱对在纳球光刻图案化GaAs衬底的孔洞区进行金属有机化学气相沉积(MOCVD)进而对InP成核层进行了研究。实验结果表明,该局域表面InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,与MOCVD的生...
关键词:图形化衬底 GaAs/InP异质外延 表面形貌 粗糙度 应力 
锥型亚波长光栅在薄膜晶硅电池中的吸收增强效应分析
《激光与光电子学进展》2012年第4期167-172,共6页邵彪 张瑞英 赵春雨 董建荣 杨辉 张金仓 
教育部留学回国人员科研启动基金;江苏省科技支撑-工业项目(BE2009056)资助课题
基于严格耦合波理论,从反射率、吸收增强因子、光生载流子几率和理想光电转换效率几个方面模拟分析了不同锥型亚波长光栅对1μm厚晶硅电池产生的影响。模拟结果得出:在相同光栅高度下,虽然小周期(P=100nm)锥形亚波长光栅的表面反射率低...
关键词:光电子学 吸收增强 严格耦合波理论 太阳电池 宽谱减反 
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