图形衬底

作品数：44被引量：72H指数：5
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芯片尺寸与阵列偏移对图形衬底Micro-LED光强空间分布的影响
《发光学报》2025年第2期366-372,共7页张佳辰 李盼盼 李金钗 黄凯 李鹏岗 
国家重点研发计划(2022YFF0609504);国家自然科学基金(62174141)。
微型发光二极管(Micro-light emitting diode,Micro-LED)以高亮度、高对比度、低能耗和快速响应等优异特性,广泛应用于户外显示、增强现实和虚拟现实等领域。然而,Micro-LED的微型化带来了光强分布控制的挑战。为提高其发光效率,常使用...
关键词：Micro-LED 图形蓝宝石衬底(PSS) 非对称率 
图形衬底对多周期InGaAs量子点自组装生长的影响被引量：1
《原子与分子物理学报》2023年第1期67-72,共6页张丹懿 江玉琪 黄泽琛 蒋冲 赵梦秦 王一 郭祥 丁召 
国家自然科学基金(61564002,11664005);贵州省科学技术基金(黔科合基础[2020]1Y271);贵州大学培育项目(贵大培育[2019]58号);半导体功率器件可靠性教育部研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(07))。
量子点器件技术广泛应用于量子计算和光电器件上.成核位置的均匀性、有序性和尺寸一致性,可以有效提高光电器件性能.为了实现阵列量子点的可控性,本文采用湿法刻蚀制备图形化衬底,理论上解释了铟原子在图形化衬底上成核现象,产生有序的...
关键词：湿法刻蚀 多周期量子点生长 台阶结构 S-K模式 图形衬底 
在蓝宝石图形衬底上外延高性能LED被引量：1
《照明工程学报》2020年第5期82-84,共3页乔良 杨海艳 张诗娟 陆羽 
廊坊市科学技术研究与发展计划资助项目(项目编号:2019011032)。
在较大尺寸的蓝宝石衬底上生长氮化镓(GaN)基发光二极管(light emitting diode,LED)外延往往会发生较为明显的翘曲状况,这会导致整个外延片发光一致性降低。本文通过优化非故意掺杂氮化镓层的生长参数,调节了外延层中的应力,该外延层的...
关键词：蓝宝石衬底 发光二极管 翘曲 
4-inch蓝宝石图形衬底上GaN基白光LED制备及表征
《发光学报》2020年第7期858-862,共5页朱友华 刘轩 王美玉 李毅 
国家自然科学基金(61874168);江苏省产学研项目(BY2019114)资助。
在4-inch蓝宝石图形衬底上,基于InGaN/GaN多量子阱结构制备了蓝光LED芯片,并通过与钇铝石榴石黄色荧光粉(YAG∶Ce3+)结合,封装成白光LED器件。简要介绍了外延生长和芯片工艺及封装流程,并对材料特性及器件性能进行了表征。外延片表面形...
关键词：GAN YAG荧光粉 白光LED 表征及性能 
突破 这家公司开发出了低位错密度的高阻GaN(氮化镓)材料
《半导体信息》2020年第2期14-15,共2页
近日上海芯元基半导体科技有限公司(以下简称"芯元基")宣布,基于其独创的DPSS衬底技术(蓝宝石复合图形衬底),该公司开发出了低位错密度的高阻GaN(氮化镓)材料,可用于电子功率器件和微波射频器件等的制备。芯元基开发的GaN外延晶体质量...
关键词：射频器件 光电子器件 氮化镓 晶体质量 功率器件 GaN 图形衬底 蓝宝石衬底 
硅(001)图形衬底上锗硅纳米线的定位生长被引量：2
《物理学报》2020年第2期256-261,共6页高飞 冯琦 王霆 张建军 
国家重点研发计划(批准号:2016YFA0301701);国家自然科学基金(批准号:11574356,11434010)资助的课题~~
纳米线的定位生长是实现纳米线量子器件寻址和集成的前提.结合自上而下的纳米加工和自下而上的自组装技术,通过分子束外延生长方法,在具有周期性凹槽结构的硅(001)图形衬底上首先低温生长硅锗薄膜然后升温退火,实现了有序锗硅纳米线在...
关键词：分子束外延 量子比特 图形衬底 锗硅纳米线 
GaAs(001)图形衬底上InAs量子点的定位生长被引量：3
《物理学报》2019年第11期236-242,共7页王海玲 王霆 张建军 
国家重点研发计划(批准号:2016YFA0301700,2015CB932400);国家自然科学基金(批准号:11574356,11434010)资助的课题~~
InAs/GaAs量子点是重要的单光子源,位置可控量子点对实现可寻址易集成的高性能量子点光源具有重要意义.本文详细研究了氢原子条件下GaAs (001)图形衬底的低温脱氧过程,低温GaAs缓冲层生长中沟槽形貌的演化过程,以及沟槽形貌对量子点形...
关键词：INAS量子点 图形衬底 成核位置 定位生长 
双极IC用双埋层图形衬底制备N/P异型硅外延结构
《固体电子学研究与进展》2018年第6期456-464,共9页李明达 李普生 
利用PE2061s型常压桶式多片外延炉,在P型双埋层图形硅衬底上沉积生长高均匀性低缺陷的N型外延层。通过研发衬底背面杂质掩蔽、附面层虹吸效应、高补偿缓冲层生长等技术,使外延层图形漂移率、图形畸变率、均匀性以及表面质量等关键指标...
关键词：埋层外延 图形漂移 图形畸变 缓冲层 
AlN成核层对近紫外LED外延生长的影响被引量：2
《半导体技术》2018年第9期684-688,696,共6页李婷婷 周玉春 杨路华 李晓波 王静辉 
河北省创新能力提升计划项目(18960607H)
在图形化蓝宝石衬底上制备了InGaN/AlGaN近紫外发光二极管（LED）。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法外延生长了不同厚度的AlN成核层,系统研究了AlN成核层厚度对外延层质量和InGaN/AlGaN近紫外LED（波长395 nm）光电性能的影响。...
关键词：AlN成核层 近紫外LED 蓝宝石图形衬底(PSS) 腐蚀坑密度 外量子效率 
北京市第三代半导体材料及应用工程技术研究中心
《高科技与产业化》2017年第1期70-73,共4页
北京市第三代半导体材料及应用工程技术研究中心,定位于首都第三代半导体新材料、新器件和新应用的工程化研究平台,解决该领域的行业共性关键技术,为企业提供全方位的技术服务,加速企业核心技术开发进程;建立基于自主知识产权的GaN光电...
关键词：第三代半导体材料 ALGAN 图形衬底 氮化镓 氮化物 工程技术研究中心 激光器 光激射器 电子器件 深紫外 LED 北京市 
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