高飞

作品数：2被引量：4H指数：2
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供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文主题：锗纳米线比表面积硅锗硅衬底更多>>
发文领域：理学自动化与计算机技术化学工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《物理学报》更多>>
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硅和锗量子计算材料研究进展被引量：3
《物理学报》2021年第21期299-311,共13页张结印 高飞 张建军 
国家重点研发计划(批准号:2016YFA0301701)资助的课题。
半导体量子点量子计算是实现固态量子计算的重要途径之一,高质量量子计算材料制备是其中的关键.硅和锗材料能够实现无核自旋的同位素纯化,满足量子比特对长退相干时间的要求,同时与当前的硅工艺兼容,是实现半导体量子计算的重要材料平台...
关键词：硅 锗 异质结 纳米线 量子计算 
硅(001)图形衬底上锗硅纳米线的定位生长被引量：2
《物理学报》2020年第2期256-261,共6页高飞 冯琦 王霆 张建军 
国家重点研发计划(批准号:2016YFA0301701);国家自然科学基金(批准号:11574356,11434010)资助的课题~~
纳米线的定位生长是实现纳米线量子器件寻址和集成的前提.结合自上而下的纳米加工和自下而上的自组装技术,通过分子束外延生长方法,在具有周期性凹槽结构的硅(001)图形衬底上首先低温生长硅锗薄膜然后升温退火,实现了有序锗硅纳米线在...
关键词：分子束外延 量子比特 图形衬底 锗硅纳米线 
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