张震

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发文主题：表面形貌INPGAAS衬底GAAS/INP局域更多>>
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图案化GaAs衬底外延InP局域表面成核层生长
《半导体技术》2015年第6期448-454,共7页戚永乐 张瑞英 张震 王岩岩 朱健 孙玉润 赵勇明 董建荣 王庶民 
国家自然科学基金资助项目(51202284);信息功能材料国家重点实验室开放课题
使用光学显微镜、原子力显微镜和微区喇曼光谱对在纳球光刻图案化GaAs衬底的孔洞区进行金属有机化学气相沉积(MOCVD)进而对InP成核层进行了研究。实验结果表明,该局域表面InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,与MOCVD的生...
关键词：图形化衬底 GaAs/InP异质外延 表面形貌 粗糙度 应力 
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